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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTP5N95K3
STP5N95K3 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STP5N95K3 - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STP5N95K3
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STP5N95K3
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 950V 4A TO220
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
STx5N95K3.pdf
État RoHS
En stock: 4340

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STP5N95K3
STMicroelectronics - STP5N95K3 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STP5N95K3

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 100µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220  
Séries SuperMESH3™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.5Ohm @ 2A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 90W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 460 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 19 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 950 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4A (Tc)  
Numéro de produit de base STP5N  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STP5N95K3

Attributs du produit STP5N95K3 STP5N52K3 STP5NB40 STP57N65M5
Modèle de produit STP5N95K3 STP5N52K3 STP5NB40 STP57N65M5
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4A (Tc) 4.4A (Tc) 4.7A (Tc) 42A (Tc)
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 100µA 4.5V @ 50µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA
Fonction FET - - - -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 460 pF @ 25 V 450 pF @ 100 V 405 pF @ 25 V 4200 pF @ 100 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.5Ohm @ 2A, 10V 1.5Ohm @ 2.2A, 10V 1.8Ohm @ 2.3A, 10V 63mOhm @ 21A, 10V
Dissipation de puissance (max) 90W (Tc) 70W (Tc) 80W (Tc) 250W (Tc)
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±25V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Numéro de produit de base STP5N STP5N STP5N STP57
Emballer Tube Tube Tube Tube
Séries SuperMESH3™ SuperMESH3™ PowerMESH™ MDmesh™ V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 19 nC @ 10 V 14 nC @ 10 V 20 nC @ 10 V 98 nC @ 10 V
Package composant fournisseur TO-220 TO-220 TO-220 TO-220
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss) 950 V 525 V 400 V 650 V
Package / Boîte TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

Fiche technique STP5N95K3 PDF

Téléchargez STP5N95K3 PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STP5N95K3 - STMicroelectronics.

Assemblage / origine PCN
TO-220 Capacity Expansion 18/Jun/2013.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Power MOSFET Transistors 29/Jul/2013.pdf
Feuilles de données
STx5N95K3.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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STP5N95K3

STMicroelectronics
32D-STP5N95K3

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