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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTP5N105K5
STP5N105K5 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STP5N105K5 - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STP5N105K5
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STP5N105K5
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 1050V 3A TO220
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
STP5N105K5.pdf
État RoHS
En stock: 21637

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STP5N105K5
STMicroelectronics - STP5N105K5 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STP5N105K5

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 100µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220  
Séries MDmesh™ K5  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.5Ohm @ 1.5A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 85W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 210 pF @ 100 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 12.5 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 1050 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3A (Tc)  
Numéro de produit de base STP5N105  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STP5N105K5

Attributs du produit STP5N105K5 STP5N95K5 STP55NF06L STP5N52K3
Modèle de produit STP5N105K5 STP5N95K5 STP55NF06L STP5N52K3
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Tension drain-source (Vdss) 1050 V 950 V 60 V 525 V
Package composant fournisseur TO-220 TO-220 TO-220 TO-220
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 100µA 5V @ 100µA 1.7V @ 250µA 4.5V @ 50µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.5Ohm @ 1.5A, 10V 2.5Ohm @ 1.5A, 10V 18mOhm @ 27.5A, 10V 1.5Ohm @ 2.2A, 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 210 pF @ 100 V 220 pF @ 100 V 1700 pF @ 25 V 450 pF @ 100 V
Séries MDmesh™ K5 SuperMESH5™ STripFET™ II SuperMESH3™
Vgs (Max) ±30V ±30V ±16V ±30V
Package / Boîte TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Numéro de produit de base STP5N105 STP5N95 STP55 STP5N
Dissipation de puissance (max) 85W (Tc) 70W (Tc) 95W (Tc) 70W (Tc)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3A (Tc) 3.5A (Tc) 55A (Tc) 4.4A (Tc)
Fonction FET - - - -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 12.5 nC @ 10 V 12.5 nC @ 10 V 37 nC @ 4.5 V 14 nC @ 10 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Emballer Tube Tube Tube Tube
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V, 5V 10V

Fiche technique STP5N105K5 PDF

Téléchargez STP5N105K5 PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STP5N105K5 - STMicroelectronics.

Conception / spécification PCN
Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019.pdf
Assemblage / origine PCN
IPD/15/9124 20/Mar/2015.pdf
Feuilles de données
STP5N105K5.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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