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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTP24NM65N
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STP24NM65N - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STP24NM65N
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STP24NM65N
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 650V 19A TO220AB
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
STx24NM65N.pdf
État RoHS
Notre certification
En stock: 5340

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Quantité
OPTION EXPRESS
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Notre certification

Spécifications

Spécifications techniques STP24NM65N
STMicroelectronics - STP24NM65N Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STP24NM65N

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220  
Séries MDmesh™ II  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 190mOhm @ 9.5A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 160W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2500 pF @ 50 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 70 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 650 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 19A (Tc)  
Numéro de produit de base STP24N  

Classifications environnementales et d'exportation

ATTRIBUT LA DESCRIPTION
État RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de portée REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STP24NM65N

Attributs du produit STP24NM65N STP24N60M2 STP24NM60N STP25N60M2-EP
Modèle de produit STP24NM65N STP24N60M2 STP24NM60N STP25N60M2-EP
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 19A (Tc) 18A (Tc) 17A (Tc) 18A (Tc)
Tension drain-source (Vdss) 650 V 600 V 600 V 600 V
Package / Boîte TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4.75V @ 250µA
Vgs (Max) ±25V ±25V ±30V ±25V
Emballer Tube Tube Tube Tube
Séries MDmesh™ II MDmesh™ II Plus MDmesh™ II MDmesh™ M2-EP
Fonction FET - - - -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2500 pF @ 50 V 1060 pF @ 100 V 1400 pF @ 50 V 1090 pF @ 100 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 190mOhm @ 9.5A, 10V 190mOhm @ 9A, 10V 190mOhm @ 8A, 10V 188mOhm @ 9A, 10V
Dissipation de puissance (max) 160W (Tc) 150W (Tc) 125W (Tc) 150W (Tc)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Numéro de produit de base STP24N STP24 STP24 STP25
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 70 nC @ 10 V 29 nC @ 10 V 46 nC @ 10 V 29 nC @ 10 V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Package composant fournisseur TO-220 TO-220 TO-220 TO-220
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V

Fiche technique STP24NM65N PDF

Téléchargez STP24NM65N PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STP24NM65N - STMicroelectronics.

Feuilles de données
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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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