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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTP10NM60ND
STP10NM60ND Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STP10NM60ND - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STP10NM60ND
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STP10NM60ND
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 600V 8A TO220
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
STP10NM60ND.pdf
État RoHS
En stock: 27934

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STP10NM60ND
STMicroelectronics - STP10NM60ND Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STP10NM60ND

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220  
Séries FDmesh™ II  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 600mOhm @ 4A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 70W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 577 pF @ 50 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 600 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 8A (Tc)  
Numéro de produit de base STP10  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STP10NM60ND

Attributs du produit STP10NM60ND STP110N8F6 STP10NM60N STP110N7F6
Modèle de produit STP10NM60ND STP110N8F6 STP10NM60N STP110N7F6
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Package composant fournisseur TO-220 TO-220 TO-220 TO-220
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 8A (Tc) 110A (Tc) 10A (Tc) 110A (Tc)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 10 V 150 nC @ 10 V 19 nC @ 10 V 100 nC @ 10 V
Fonction FET - - - -
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Numéro de produit de base STP10 STP110 STP10 STP110
Tension drain-source (Vdss) 600 V 80 V 600 V 68 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 600mOhm @ 4A, 10V 6.5mOhm @ 55A, 10V 550mOhm @ 4A, 10V 6.5mOhm @ 55A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 4.5V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Séries FDmesh™ II STripFET™ F6 MDmesh™ II STripFET™ F6
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 577 pF @ 50 V 9130 pF @ 40 V 540 pF @ 50 V 5850 pF @ 25 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±25V ±20V ±25V ±20V
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Boîte TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Dissipation de puissance (max) 70W (Tc) 200W (Tc) 70W (Tc) 176W (Tc)
Emballer Tube Tube Tube Tube

Fiche technique STP10NM60ND PDF

Téléchargez STP10NM60ND PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STP10NM60ND - STMicroelectronics.

Conception / spécification PCN
Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019.pdf
Assemblage / origine PCN
TO-220 Capacity Expansion 18/Jun/2013.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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STP10NM60ND

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32D-STP10NM60ND

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