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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTP10NM60N
STP10NM60N Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STP10NM60N - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STP10NM60N
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STP10NM60N
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 600V 10A TO220AB
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
STx10NM60N.pdf
État RoHS
En stock: 20590

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STP10NM60N
STMicroelectronics - STP10NM60N Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STP10NM60N

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220  
Séries MDmesh™ II  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 550mOhm @ 4A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 70W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 540 pF @ 50 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 19 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 600 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 10A (Tc)  
Numéro de produit de base STP10  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STP10NM60N

Attributs du produit STP10NM60N STP110N10F7 STP110N55F6 STP10NK80ZFP
Modèle de produit STP10NM60N STP110N10F7 STP110N55F6 STP10NK80ZFP
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Tension drain-source (Vdss) 600 V 100 V 55 V 800 V
Dissipation de puissance (max) 70W (Tc) 150W (Tc) 150W (Tc) 40W (Tc)
Package composant fournisseur TO-220 TO-220 TO-220 TO-220FP
Emballer Tube Tube Tube Tube
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 540 pF @ 50 V 5500 pF @ 50 V 8350 pF @ 25 V 2180 pF @ 25 V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 19 nC @ 10 V 60 nC @ 10 V 120 nC @ 10 V 72 nC @ 10 V
Séries MDmesh™ II DeepGATE™, STripFET™ VII DeepGATE™, STripFET™ VI SuperMESH™
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 10A (Tc) 110A (Tc) 110A (Tc) 9A (Tc)
Numéro de produit de base STP10 STP110 STP110 STP10
Rds On (Max) @ Id, Vgs 550mOhm @ 4A, 10V 7mOhm @ 55A, 10V 5.2mOhm @ 60A, 10V 900mOhm @ 4.5A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Fonction FET - - - -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4.5V @ 100µA
Package / Boîte TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 Full Pack
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±25V ±20V ±20V ±30V

Fiche technique STP10NM60N PDF

Téléchargez STP10NM60N PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STP10NM60N - STMicroelectronics.

Emballage PCN
Box Label Chg 28/Jul/2016.pdf Traceability 06/Mar/2017.pdf
Conception / spécification PCN
Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019.pdf
Assemblage / origine PCN
Mult Dev Plating Process 13/Dec/2018.pdf
Feuilles de données
STx10NM60N.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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STP10NM60N

STMicroelectronics
32D-STP10NM60N

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