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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTN1NF10
STN1NF10 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STN1NF10 - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STN1NF10
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STN1NF10
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 100V 1A SOT-223
Description détaillée
Emballage
TO-261-4, TO-261AA
Fiche technique
STN1NF10.pdf
État RoHS
En stock: 41850

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STN1NF10
STMicroelectronics - STN1NF10 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STN1NF10

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur SOT-223  
Séries STripFET™ II  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 800mOhm @ 500mA, 10V  
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Tc)  
Package / Boîte TO-261-4, TO-261AA  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 105 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 6 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 100 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 1A (Tc)  
Numéro de produit de base STN1N  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STN1NF10

Attributs du produit STN1NF10 STN1NK80Z STN1HNK60 STN1NK60Z
Modèle de produit STN1NF10 STN1NK80Z STN1HNK60 STN1NK60Z
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Tension drain-source (Vdss) 100 V 800 V 600 V 600 V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 6 nC @ 10 V 7.7 nC @ 10 V 10 nC @ 10 V 6.9 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 105 pF @ 25 V 160 pF @ 25 V 156 pF @ 25 V 94 pF @ 25 V
Fonction FET - - - -
Numéro de produit de base STN1N STN1NK80 STN1HNK60 STN1NK60
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Tc) 2.5W (Tc) 3.3W (Tc) 3.3W (Tc)
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4.5V @ 50µA 3.7V @ 250µA 4.5V @ 50µA
Vgs (Max) ±20V ±30V ±30V ±30V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Package / Boîte TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA
Package composant fournisseur SOT-223 SOT-223 SOT-223 SOT-223
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 1A (Tc) 250mA (Tc) 400mA (Tc) 300mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 800mOhm @ 500mA, 10V 16Ohm @ 500mA, 10V 8.5Ohm @ 500mA, 10V 15Ohm @ 400mA, 10V
Séries STripFET™ II SuperMESH™ SuperMESH™ SuperMESH™

Fiche technique STN1NF10 PDF

Téléchargez STN1NF10 PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STN1NF10 - STMicroelectronics.

Emballage PCN
Box Label Chg 28/Jul/2016.pdf
PCN Obsolescence / EOL
STN/B/P 07/Feb/2018.pdf
Feuilles de données
STN1NF10.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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STN1NF10

STMicroelectronics
32D-STN1NF10

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