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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTN1N20
STN1N20 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STN1N20 - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STN1N20
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STN1N20
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 200V 1A SOT223
Description détaillée
Emballage
TO-261-4, TO-261AA
Fiche technique
STN1N20.pdf
État RoHS
En stock: 4510

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STN1N20
STMicroelectronics - STN1N20 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STN1N20

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur SOT-223  
Séries MESH OVERLAY™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5Ohm @ 500mA, 10V  
Dissipation de puissance (max) 2.9W (Tc)  
Package / Boîte TO-261-4, TO-261AA  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 206 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 15.7 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 200 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 1A (Tc)  
Numéro de produit de base STN1N  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STN1N20

Attributs du produit STN1N20 STN1NF10 STN1NK60Z STN1NK80Z
Modèle de produit STN1N20 STN1NF10 STN1NK60Z STN1NK80Z
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Fonction FET - - - -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 1A (Tc) 1A (Tc) 300mA (Tc) 250mA (Tc)
Dissipation de puissance (max) 2.9W (Tc) 2.5W (Tc) 3.3W (Tc) 2.5W (Tc)
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 4V @ 250µA 4.5V @ 50µA 4.5V @ 50µA
Vgs (Max) ±20V ±20V ±30V ±30V
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5Ohm @ 500mA, 10V 800mOhm @ 500mA, 10V 15Ohm @ 400mA, 10V 16Ohm @ 500mA, 10V
Séries MESH OVERLAY™ STripFET™ II SuperMESH™ SuperMESH™
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Package / Boîte TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA
Numéro de produit de base STN1N STN1N STN1NK60 STN1NK80
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 15.7 nC @ 10 V 6 nC @ 10 V 6.9 nC @ 10 V 7.7 nC @ 10 V
Package composant fournisseur SOT-223 SOT-223 SOT-223 SOT-223
Tension drain-source (Vdss) 200 V 100 V 600 V 800 V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 206 pF @ 25 V 105 pF @ 25 V 94 pF @ 25 V 160 pF @ 25 V

Fiche technique STN1N20 PDF

Téléchargez STN1N20 PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STN1N20 - STMicroelectronics.

Feuilles de données
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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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