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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTL58N3LLH5
STMicroelectronics
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STL58N3LLH5 - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STL58N3LLH5
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STL58N3LLH5
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 30V 64A POWERFLAT
Description détaillée
Emballage
8-PowerVDFN
Fiche technique
STL58N3LLH5.pdf
État RoHS
En stock: 63790

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STL58N3LLH5
STMicroelectronics - STL58N3LLH5 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STL58N3LLH5

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA  
Vgs (Max) +22V, -20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PowerFlat™ (5x6)  
Séries Automotive, AEC-Q101, STripFET™ H5  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9mOhm @ 7.5A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 4.8W (Ta), 62.5W (Tc)  
Package / Boîte 8-PowerVDFN  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 950 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 10 nC @ 4.5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 64A (Tc)  
Numéro de produit de base STL58  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STL58N3LLH5

Attributs du produit STL58N3LLH5 STL52N25M5 STL57N65M5 STL55NH3LL
Modèle de produit STL58N3LLH5 STL52N25M5 STL57N65M5 STL55NH3LL
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 10 nC @ 4.5 V 47 nC @ 10 V 110 nC @ 10 V 12 nC @ 4.5 V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA 5V @ 100µA 5V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 64A (Tc) 28A (Tc) 4.3A (Ta), 22.5A (Tc) 55A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 10V 10V 4.5V, 10V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Fonction FET - - - -
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tension drain-source (Vdss) 30 V 250 V 650 V 30 V
Package / Boîte 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN
Package composant fournisseur PowerFlat™ (5x6) PowerFlat™ (5x6) PowerFlat™ (8x8) HV PowerFlat™ (5x6)
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (Max) +22V, -20V ±25V ±25V ±16V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 950 pF @ 25 V 1770 pF @ 50 V 4200 pF @ 100 V 965 pF @ 25 V
Séries Automotive, AEC-Q101, STripFET™ H5 MDmesh™ V MDmesh™ V STripFET™
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Dissipation de puissance (max) 4.8W (Ta), 62.5W (Tc) 2.5W (Ta), 110W (Tc) 2.8W (Ta), 189W (Tc) 60W (Tc)
Numéro de produit de base STL58 STL52 STL57 STL55
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9mOhm @ 7.5A, 10V 65mOhm @ 14A, 10V 69mOhm @ 20A, 10V 8.8mOhm @ 7.5A, 10V

Fiche technique STL58N3LLH5 PDF

Téléchargez STL58N3LLH5 PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STL58N3LLH5 - STMicroelectronics.

Emballage PCN
Mult Dev Inner Box Chg 9/Dec/2021.pdf
Assemblage / origine PCN
Mult Devices Testing 10/May/2018.pdf
Conception / spécification PCN
Mult Dev Mark Chg 9/Sep/2020.pdf STLYYY 20/Feb/2018.pdf
Feuilles de données
STL58N3LLH5.pdf

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Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Italie 5
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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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