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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTI13NM60N
STI13NM60N Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STI13NM60N - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STI13NM60N
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STI13NM60N
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 600V 11A I2PAK
Description détaillée
Emballage
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Fiche technique
STF,I,P,U,W13NM60N.pdf
État RoHS
En stock: 52680

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STI13NM60N
STMicroelectronics - STI13NM60N Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STI13NM60N

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur I2PAK  
Séries MDmesh™ II  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 360mOhm @ 5.5A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 90W (Tc)  
Package / Boîte TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 790 pF @ 50 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 30 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 600 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 11A (Tc)  
Numéro de produit de base STI13  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STI13NM60N

Attributs du produit STI13NM60N STI18N60M2 STI12NM50N STI150N10F7
Modèle de produit STI13NM60N STI18N60M2 STI12NM50N STI150N10F7
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Tension drain-source (Vdss) 600 V - 500 V 100 V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 30 nC @ 10 V - 30 nC @ 10 V 117 nC @ 10 V
Séries MDmesh™ II * MDmesh™ II STripFET™
Package / Boîte TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA - TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA - 4V @ 250µA 4.5V @ 250µA
Package composant fournisseur I2PAK - I2PAK I2PAK (TO-262)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V - 10V 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 11A (Tc) - 11A (Tc) 110A (Tc)
Dissipation de puissance (max) 90W (Tc) - 100W (Tc) 250W (Tc)
Type de montage Through Hole - Through Hole Through Hole
Rds On (Max) @ Id, Vgs 360mOhm @ 5.5A, 10V - 380mOhm @ 5.5A, 10V 4.2mOhm @ 55A, 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 790 pF @ 50 V - 940 pF @ 50 V 8115 pF @ 50 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) - MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Emballer Tube Tube Tube Tube
Fonction FET - - - -
Numéro de produit de base STI13 STI18N STI12N STI150
Vgs (Max) ±25V - ±25V ±20V
type de FET N-Channel - N-Channel N-Channel

Fiche technique STI13NM60N PDF

Téléchargez STI13NM60N PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STI13NM60N - STMicroelectronics.

Conception / spécification PCN
Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019.pdf
Assemblage / origine PCN
New Molding Compound 13/Sep/2019.pdf
Feuilles de données
STF,I,P,U,W13NM60N.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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STI13NM60N

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32D-STI13NM60N

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