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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTI10N62K3
STI10N62K3 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STI10N62K3 - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STI10N62K3
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STI10N62K3
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 620V 8.4A I2PAK
Description détaillée
Emballage
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Fiche technique
STx(x)10N62K3.pdf
État RoHS
En stock: 31237

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STI10N62K3
STMicroelectronics - STI10N62K3 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STI10N62K3

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 100µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur I2PAK  
Séries SuperMESH3™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 750mOhm @ 4A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 125W (Tc)  
Package / Boîte TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1250 pF @ 50 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 42 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 620 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 8.4A (Tc)  
Numéro de produit de base STI10N  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STI10N62K3

Attributs du produit STI10N62K3 STI18N60M2 STI175N4F6AG STI20N65M5
Modèle de produit STI10N62K3 STI18N60M2 STI175N4F6AG STI20N65M5
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Package / Boîte TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA - TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 8.4A (Tc) - 120A (Tc) 18A (Tc)
Séries SuperMESH3™ * STripFET™ F6 MDmesh™ V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 100µA - 4.5V @ 250µA 5V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 750mOhm @ 4A, 10V - 2.7mOhm @ 60A, 10V 190mOhm @ 9A, 10V
Vgs (Max) ±30V - ±20V ±25V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V - 10V 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1250 pF @ 50 V - 7735 pF @ 20 V 1434 pF @ 100 V
Emballer Tube Tube Tube Tube
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 42 nC @ 10 V - 130 nC @ 10 V 36 nC @ 10 V
type de FET N-Channel - N-Channel N-Channel
Tension drain-source (Vdss) 620 V - 40 V 650 V
Dissipation de puissance (max) 125W (Tc) - 190W (Tc) 130W (Tc)
Type de montage Through Hole - Through Hole Through Hole
Fonction FET - - - -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) - MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Numéro de produit de base STI10N STI18N STI175N STI20
Package composant fournisseur I2PAK - I2PAK (TO-262) I2PAK (TO-262)

Fiche technique STI10N62K3 PDF

Téléchargez STI10N62K3 PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STI10N62K3 - STMicroelectronics.

PCN Obsolescence / EOL
Power MOSFET Transistors 29/Jul/2013.pdf
Feuilles de données
STx(x)10N62K3.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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32D-STI10N62K3

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