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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTH320N4F6-6
STH320N4F6-6 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STH320N4F6-6 - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STH320N4F6-6
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STH320N4F6-6
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 40V 200A H2PAK-6
Description détaillée
Emballage
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Fiche technique
STH320N4F6-2,-6.pdf
État RoHS
En stock: 12900

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STH320N4F6-6
STMicroelectronics - STH320N4F6-6 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STH320N4F6-6

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur H2PAK-6  
Séries Automotive, AEC-Q101, DeepGATE™, STripFET™ VI  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.3mOhm @ 80A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 300W (Tc)  
Package / Boîte TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 13800 pF @ 15 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 240 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 40 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 200A (Tc)  
Numéro de produit de base STH320  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STH320N4F6-6

Attributs du produit STH320N4F6-6 STH310N10F7-2 STH300NH02L-6 STH400N4F6-2
Modèle de produit STH320N4F6-6 STH310N10F7-2 STH300NH02L-6 STH400N4F6-2
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Dissipation de puissance (max) 300W (Tc) 315W (Tc) 300W (Tc) 300W (Tc)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 200A (Tc) 180A (Tc) 180A (Tc) 180A (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Séries Automotive, AEC-Q101, DeepGATE™, STripFET™ VI DeepGATE™, STripFET™ VII Automotive, AEC-Q101, STripFET™ III Automotive, AEC-Q101, DeepGATE™, STripFET™ VI
Fonction FET - - - -
Numéro de produit de base STH320 STH310 STH300 STH400
Package composant fournisseur H2PAK-6 H2Pak-2 H²PAK H2Pak-2
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 3.8V @ 250µA 1V @ 250µA 4.5V @ 250µA
Package / Boîte TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 240 nC @ 10 V 180 nC @ 10 V 109 nC @ 10 V 404 nC @ 10 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.3mOhm @ 80A, 10V 2.5mOhm @ 60A, 10V 1.2mOhm @ 80A, 10V 1.15mOhm @ 60A, 10V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 5V, 10V 10V
Tension drain-source (Vdss) 40 V 100 V 24 V 40 V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 13800 pF @ 15 V 12800 pF @ 25 V 7050 pF @ 15 V 20500 pF @ 25 V

Fiche technique STH320N4F6-6 PDF

Téléchargez STH320N4F6-6 PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STH320N4F6-6 - STMicroelectronics.

Emballage PCN
Mult Dev Inner Box Chg 9/Dec/2021.pdf
Assemblage / origine PCN
Mult Dev A/T Chgs 14/Mar/2023.pdf
Feuilles de données
STH320N4F6-2,-6.pdf

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Amérique États-Unis 5
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Italie 5
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Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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