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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTH310N10F7-6
STH310N10F7-6 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STH310N10F7-6 - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STH310N10F7-6
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STH310N10F7-6
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6
Description détaillée
Emballage
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Fiche technique
STH310N10F7-2,-6.pdf
État RoHS
En stock: 10814

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STH310N10F7-6
STMicroelectronics - STH310N10F7-6 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STH310N10F7-6

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 3.8V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur H2PAK-6  
Séries DeepGATE™, STripFET™ VII  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.5mOhm @ 60A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 315W (Tc)  
Package / Boîte TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 12800 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 180 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 100 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 180A (Tc)  
Numéro de produit de base STH310  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STH310N10F7-6

Attributs du produit STH310N10F7-6 STH310N10F7-2 STH270N4F3-6 STH270N8F7-2
Modèle de produit STH310N10F7-6 STH310N10F7-2 STH270N4F3-6 STH270N8F7-2
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Vgs (th) (Max) @ Id 3.8V @ 250µA 3.8V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Package composant fournisseur H2PAK-6 H2Pak-2 H²PAK H²PAK
Numéro de produit de base STH310 STH310 STH270 STH270
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Séries DeepGATE™, STripFET™ VII DeepGATE™, STripFET™ VII Automotive, AEC-Q101, STripFET™ III DeepGATE™, STripFET™ VII
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 12800 pF @ 25 V 12800 pF @ 25 V 7400 pF @ 25 V 13600 pF @ 50 V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.5mOhm @ 60A, 10V 2.5mOhm @ 60A, 10V 1.7mOhm @ 80A, 10V 2.1mOhm @ 90A, 10V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Package / Boîte TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab) Variant
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 180 nC @ 10 V 180 nC @ 10 V 150 nC @ 10 V 193 nC @ 10 V
Dissipation de puissance (max) 315W (Tc) 315W (Tc) 300W (Tc) 315W (Tc)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss) 100 V 100 V 40 V 80 V
Fonction FET - - - -
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 180A (Tc) 180A (Tc) 180A (Tc) 180A (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)

Fiche technique STH310N10F7-6 PDF

Téléchargez STH310N10F7-6 PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STH310N10F7-6 - STMicroelectronics.

Emballage PCN
Mult Dev Inner Box Chg 9/Dec/2021.pdf
Assemblage / origine PCN
Mult Dev A/T Chgs 14/Mar/2023.pdf
Feuilles de données
STH310N10F7-2,-6.pdf

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Italie 5
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Nouvelle-Zélande 5
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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