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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTH175N4F6-6AG
STMicroelectronics
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STH175N4F6-6AG - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STH175N4F6-6AG
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STH175N4F6-6AG
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 40V 120A H2PAK-2
Description détaillée
Emballage
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique
STH175N4F6-6AG.pdf
État RoHS
En stock: 41050

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STH175N4F6-6AG
STMicroelectronics - STH175N4F6-6AG Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STH175N4F6-6AG

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur H2Pak-2  
Séries Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F6  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.4mOhm @ 60A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 150W (Tc)  
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 7735 pF @ 20 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 130 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 40 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 120A (Tc)  
Numéro de produit de base STH175  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STH175N4F6-6AG

Attributs du produit STH175N4F6-6AG STH180N10F3-2 STH160N4LF6-2 STH210N75F6-2
Modèle de produit STH175N4F6-6AG STH180N10F3-2 STH160N4LF6-2 STH210N75F6-2
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Tension drain-source (Vdss) 40 V 100 V 40 V 75 V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 130 nC @ 10 V 114.6 nC @ 10 V 181 nC @ 10 V 171 nC @ 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA 4V @ 250µA 1V @ 250µA (Min) 4V @ 250µA
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 7735 pF @ 20 V 6665 pF @ 25 V 8130 pF @ 20 V 11800 pF @ 25 V
Fonction FET - - - -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 120A (Tc) 180A (Tc) 120A (Tc) 180A (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Séries Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F6 STripFET™ III DeepGATE™, STripFET™ VI DeepGATE™, STripFET™ VI
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.4mOhm @ 60A, 10V 4.5mOhm @ 60A, 10V 2.2mOhm @ 60A, 10V 2.8mOhm @ 90A, 10V
Numéro de produit de base STH175 STH180 STH160 STH210
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 5V, 10V 10V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Dissipation de puissance (max) 150W (Tc) 315W (Tc) 150W (Tc) 300W (Tc)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Package composant fournisseur H2Pak-2 H2Pak-2 H2Pak-2 H2Pak-2

Fiche technique STH175N4F6-6AG PDF

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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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