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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTH15NB50FI
STMicroelectronics
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STH15NB50FI - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STH15NB50FI
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STH15NB50FI
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 500V 10.5A ISOWAT218
Description détaillée
Emballage
ISOWATT-218-3
Fiche technique
ST(H,W)15NB50(FI).pdf
En stock: 4780

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STH15NB50FI
STMicroelectronics - STH15NB50FI Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STH15NB50FI

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur ISOWATT-218  
Séries PowerMESH™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 360mOhm @ 7.5A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 80W (Tc)  
Package / Boîte ISOWATT-218-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3400 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 80 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 500 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 10.5A (Tc)  
Numéro de produit de base STH15N  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STH15NB50FI

Attributs du produit STH15NB50FI STH145N8F7-2AG STH175N4F6-2AG STH160N4LF6-2
Modèle de produit STH15NB50FI STH145N8F7-2AG STH175N4F6-2AG STH160N4LF6-2
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Fonction FET - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 360mOhm @ 7.5A, 10V 4mOhm @ 45A, 10V 2.4mOhm @ 60A, 10V 2.2mOhm @ 60A, 10V
Dissipation de puissance (max) 80W (Tc) 200W (Tc) 150W (Tc) 150W (Tc)
Tension drain-source (Vdss) 500 V 80 V 40 V 40 V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 80 nC @ 10 V 96 nC @ 10 V 130 nC @ 10 V 181 nC @ 10 V
Package composant fournisseur ISOWATT-218 H2Pak-2 H2Pak-2 H2Pak-2
Numéro de produit de base STH15N STH145 STH175 STH160
Température de fonctionnement 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Séries PowerMESH™ Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7 Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F6 DeepGATE™, STripFET™ VI
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 4.5V @ 250µA 4.5V @ 250µA 1V @ 250µA (Min)
Vgs (Max) ±30V ±20V ±20V ±20V
Package / Boîte ISOWATT-218-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Type de montage Through Hole Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 10.5A (Tc) 90A (Tc) 120A (Tc) 120A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 5V, 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3400 pF @ 25 V 6340 pF @ 40 V 7735 pF @ 20 V 8130 pF @ 20 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Emballer Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

Fiche technique STH15NB50FI PDF

Téléchargez STH15NB50FI PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STH15NB50FI - STMicroelectronics.

Feuilles de données
ST(H,W)15NB50(FI).pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Océanie Australie 6
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Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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