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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - IGBT - SingleSTGW80H65DFB
STGW80H65DFB Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STGW80H65DFB - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STGW80H65DFB
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STGW80H65DFB
Modèle ECAD
Description des pièces
IGBT 650V 120A 469W TO-247
Description détaillée
Emballage
TO-247-3
Fiche technique
STGW80H65DFB, STGWT80H65DFB.pdf
État RoHS
En stock: 8046

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STGW80H65DFB
STMicroelectronics - STGW80H65DFB Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STGW80H65DFB

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 650 V  
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 80A  
Condition de test 400V, 80A, 10Ohm, 15V  
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 84ns/280ns  
énergie de commutation 2.1mJ (on), 1.5mJ (off)  
Package composant fournisseur TO-247  
Séries -  
Temps de recouvrement inverse (trr) 85 ns  
Puissance - Max 469 W  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Package / Boîte TO-247-3  
Emballer Tube  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Type d'entrée Standard  
type de IGBT Trench Field Stop  
gate charge 414 nC  
Courant - Collecteur pulsée (Icm) 240 A  
Courant - Collecteur (Ic) (max) 120 A  
Numéro de produit de base STGW80  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STGW80H65DFB

Attributs du produit STGW80H65DFB STGW75M65DF2 STGW80V60DF STGW60V60DLF
Modèle de produit STGW80H65DFB STGW75M65DF2 STGW80V60DF STGW60V60DLF
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -
Courant - Collecteur (Ic) (max) 120 A 120 A 120 A -
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole -
Courant - Collecteur pulsée (Icm) 240 A 225 A 240 A -
Package composant fournisseur TO-247 TO-247-3 TO-247 -
Numéro de produit de base STGW80 STGW75 STGW80 STGW60
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 84ns/280ns 47ns/125ns 60ns/220ns -
Condition de test 400V, 80A, 10Ohm, 15V 400V, 75A, 3.3Ohm, 15V 400V, 80A, 5Ohm, 15V -
Type d'entrée Standard Standard Standard -
Puissance - Max 469 W 468 W 469 W -
énergie de commutation 2.1mJ (on), 1.5mJ (off) 690µJ (on), 2.54mJ (off) 1.8mJ (on), 1mJ (off) -
Séries - M - -
Package / Boîte TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 Exposed Pad -
gate charge 414 nC 225 nC 448 nC -
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 80A 2.1V @ 15V, 75A 2.3V @ 15V, 80A -
type de IGBT Trench Field Stop Trench Field Stop Trench Field Stop -
Emballer Tube Tube Tube Tube
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 650 V 650 V 600 V -
Temps de recouvrement inverse (trr) 85 ns 165 ns 60 ns -

Fiche technique STGW80H65DFB PDF

Téléchargez STGW80H65DFB PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STGW80H65DFB - STMicroelectronics.

Conception / spécification PCN
Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019.pdf
Assemblage / origine PCN
IGBT/IPM TFS A/T Add 22/Oct/2021.pdf
Feuilles de données
STGW80H65DFB, STGWT80H65DFB.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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STGW80H65DFB

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32D-STGW80H65DFB

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