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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - IGBT - SingleSTGW75M65DF2
STGW75M65DF2 Image
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STGW75M65DF2 - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STGW75M65DF2
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STGW75M65DF2
Modèle ECAD
Description des pièces
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
Emballage
TO-247-3
Fiche technique
STGW(A)75M65DF2 Datasheet.pdf
État RoHS
Notre certification
En stock: 8714

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Quantité
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Notre certification

Spécifications

Spécifications techniques STGW75M65DF2
STMicroelectronics - STGW75M65DF2 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STGW75M65DF2

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 650 V  
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 75A  
Condition de test 400V, 75A, 3.3Ohm, 15V  
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 47ns/125ns  
énergie de commutation 690µJ (on), 2.54mJ (off)  
Package composant fournisseur TO-247-3  
Séries M  
Temps de recouvrement inverse (trr) 165 ns  
Puissance - Max 468 W  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Package / Boîte TO-247-3  
Emballer Tube  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Type d'entrée Standard  
type de IGBT Trench Field Stop  
gate charge 225 nC  
Courant - Collecteur pulsée (Icm) 225 A  
Courant - Collecteur (Ic) (max) 120 A  
Numéro de produit de base STGW75  

Classifications environnementales et d'exportation

ATTRIBUT LA DESCRIPTION
État RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de portée REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STGW75M65DF2

Attributs du produit STGW75M65DF2 STGW60V60DLF STGWA15H120F2 STGWA19NC60HD
Modèle de produit STGW75M65DF2 STGW60V60DLF STGWA15H120F2 STGWA19NC60HD
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Séries M - - PowerMESH™
Condition de test 400V, 75A, 3.3Ohm, 15V - 600V, 15A, 10Ohm, 15V 390V, 12A, 10Ohm, 15V
Package composant fournisseur TO-247-3 - TO-247-3 TO-247 Long Leads
Courant - Collecteur (Ic) (max) 120 A - 30 A 52 A
Type de montage Through Hole - Through Hole Through Hole
Emballer Tube Tube Tube Tube
Temps de recouvrement inverse (trr) 165 ns - - 31 ns
énergie de commutation 690µJ (on), 2.54mJ (off) - 380µJ (on), 370µJ (off) 85µJ (on), 189µJ (off)
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 75A - 2.6V @ 15V, 15A 2.5V @ 15V, 12A
Puissance - Max 468 W - 259 W 208 W
gate charge 225 nC - 67 nC 53 nC
Courant - Collecteur pulsée (Icm) 225 A - 60 A 60 A
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 47ns/125ns - 23ns/111ns 25ns/97ns
Type d'entrée Standard - Standard Standard
type de IGBT Trench Field Stop - Trench Field Stop -
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) - -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 650 V - 1200 V 600 V
Numéro de produit de base STGW75 STGW60 STGWA15 STGWA19
Package / Boîte TO-247-3 - TO-247-3 TO-247-3

Fiche technique STGW75M65DF2 PDF

Téléchargez STGW75M65DF2 PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STGW75M65DF2 - STMicroelectronics.

Conception / spécification PCN
Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019.pdf
Assemblage / origine PCN
New Molding Compound 13/Sep/2019.pdf
Feuilles de données
STGW(A)75M65DF2 Datasheet.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Note:
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STGW75M65DF2

STMicroelectronics
32D-STGW75M65DF2

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