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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - IGBT - SingleSTGP15H60DF
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STGP15H60DF - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STGP15H60DF
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STGP15H60DF
Modèle ECAD
Description des pièces
IGBT 600V 30A 115W TO220
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
STGx15H60DF.pdf
État RoHS
Notre certification
En stock: 44537

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Quantité
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Notre certification

Spécifications

Spécifications techniques STGP15H60DF
STMicroelectronics - STGP15H60DF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STGP15H60DF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 600 V  
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 15A  
Condition de test 400V, 15A, 10Ohm, 15V  
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 24.5ns/118ns  
énergie de commutation 136µJ (on), 207µJ (off)  
Package composant fournisseur TO-220  
Séries -  
Temps de recouvrement inverse (trr) 103 ns  
Puissance - Max 115 W  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Type d'entrée Standard  
type de IGBT Trench Field Stop  
gate charge 81 nC  
Courant - Collecteur pulsée (Icm) 60 A  
Courant - Collecteur (Ic) (max) 30 A  
Numéro de produit de base STGP15  

Classifications environnementales et d'exportation

ATTRIBUT LA DESCRIPTION
État RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de portée REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STGP15H60DF

Attributs du produit STGP15H60DF STGP10NB37LZ STGP19NC60HD STGP10NC60KD
Modèle de produit STGP15H60DF STGP10NB37LZ STGP19NC60HD STGP10NC60KD
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Séries - PowerMESH™ PowerMESH™ PowerMESH™
type de IGBT Trench Field Stop - - -
Temps de recouvrement inverse (trr) 103 ns - 31 ns 22 ns
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 15A 1.8V @ 4.5V, 10A 2.5V @ 15V, 12A 2.5V @ 15V, 5A
Courant - Collecteur (Ic) (max) 30 A 20 A 40 A 20 A
Numéro de produit de base STGP15 STGP10 STGP19 STGP10
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -65°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
gate charge 81 nC 28 nC 53 nC 19 nC
Condition de test 400V, 15A, 10Ohm, 15V 328V, 10A, 1kOhm, 5V 390V, 12A, 10Ohm, 15V 390V, 5A, 10Ohm, 15V
Puissance - Max 115 W 125 W 130 W 65 W
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 24.5ns/118ns 1.3µs/8µs 25ns/97ns 17ns/72ns
Package / Boîte TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
énergie de commutation 136µJ (on), 207µJ (off) 2.4mJ (on), 5mJ (off) 85µJ (on), 189µJ (off) 55µJ (on), 85µJ (off)
Emballer Tube Tube Tube Tube
Package composant fournisseur TO-220 TO-220 TO-220 TO-220
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Courant - Collecteur pulsée (Icm) 60 A 40 A 60 A 30 A
Type d'entrée Standard Standard Standard Standard
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 600 V 440 V 600 V 600 V

Fiche technique STGP15H60DF PDF

Téléchargez STGP15H60DF PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STGP15H60DF - STMicroelectronics.

Conception / spécification PCN
Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019.pdf
Assemblage / origine PCN
IGBT/IPM TFS A/T Add 22/Oct/2021.pdf
Feuilles de données
STGx15H60DF.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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STGP15H60DF

STMicroelectronics
32D-STGP15H60DF

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