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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - IGBT - SingleSTGP10NB60SD
STGP10NB60SD Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STGP10NB60SD - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STGP10NB60SD
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STGP10NB60SD
Modèle ECAD
Description des pièces
IGBT 600V 29A 80W TO220
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
STG(F,P)10NB60SD.pdf
État RoHS
En stock: 30099

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STGP10NB60SD
STMicroelectronics - STGP10NB60SD Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STGP10NB60SD

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 600 V  
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 1.75V @ 15V, 10A  
Condition de test 480V, 10A, 1kOhm, 15V  
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 700ns/1.2µs  
énergie de commutation 600µJ (on), 5mJ (off)  
Package composant fournisseur TO-220  
Séries PowerMESH™  
Temps de recouvrement inverse (trr) 37 ns  
Puissance - Max 80 W  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Type d'entrée Standard  
type de IGBT -  
gate charge 33 nC  
Courant - Collecteur pulsée (Icm) 80 A  
Courant - Collecteur (Ic) (max) 29 A  
Numéro de produit de base STGP10  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STGP10NB60SD

Attributs du produit STGP10NB60SD STGP10NC60KD STGP19NC60KD STGP10H60DF
Modèle de produit STGP10NB60SD STGP10NC60KD STGP19NC60KD STGP10H60DF
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Séries PowerMESH™ PowerMESH™ PowerMESH™ -
Courant - Collecteur (Ic) (max) 29 A 20 A 35 A 20 A
énergie de commutation 600µJ (on), 5mJ (off) 55µJ (on), 85µJ (off) 165µJ (on), 255µJ (off) 83µJ (on), 140µJ (off)
Temps de recouvrement inverse (trr) 37 ns 22 ns 31 ns 107 ns
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 1.75V @ 15V, 10A 2.5V @ 15V, 5A 2.75V @ 15V, 12A 1.95V @ 15V, 10A
Type d'entrée Standard Standard Standard Standard
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Package / Boîte TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
type de IGBT - - - Trench Field Stop
Emballer Tube Tube Tube Tube
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 600 V 600 V 600 V 600 V
Numéro de produit de base STGP10 STGP10 STGP19 STGP10
Condition de test 480V, 10A, 1kOhm, 15V 390V, 5A, 10Ohm, 15V 480V, 12A, 10Ohm, 15V 400V, 10A, 10Ohm, 15V
gate charge 33 nC 19 nC 55 nC 57 nC
Courant - Collecteur pulsée (Icm) 80 A 30 A 75 A 40 A
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 700ns/1.2µs 17ns/72ns 30ns/105ns 19.5ns/103ns
Package composant fournisseur TO-220 TO-220 TO-220 TO-220
Puissance - Max 80 W 65 W 125 W 115 W

Fiche technique STGP10NB60SD PDF

Téléchargez STGP10NB60SD PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STGP10NB60SD - STMicroelectronics.

Emballage PCN
Box Label Chg 28/Jul/2016.pdf
Conception / spécification PCN
Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019.pdf
Assemblage / origine PCN
Capacity Expansion 30/Mar/2021.pdf
Feuilles de données
STG(F,P)10NB60SD.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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STGP10NB60SD

STMicroelectronics
32D-STGP10NB60SD

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