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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - IGBT - SingleSTGF10NB60SD
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STGF10NB60SD - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STGF10NB60SD
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STGF10NB60SD
Modèle ECAD
Description des pièces
IGBT 600V 23A 25W TO220FP
Emballage
TO-220-3 Full Pack
Fiche technique
STG(F,P)10NB60SD.pdf
État RoHS
Notre certification
En stock: 33231

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Notre certification

Spécifications

Spécifications techniques STGF10NB60SD
STMicroelectronics - STGF10NB60SD Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STGF10NB60SD

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 600 V  
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 1.75V @ 15V, 10A  
Condition de test 480V, 10A, 1kOhm, 15V  
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 700ns/1.2µs  
énergie de commutation 600µJ (on), 5mJ (off)  
Package composant fournisseur TO-220FP  
Séries PowerMESH™  
Temps de recouvrement inverse (trr) 37 ns  
Puissance - Max 25 W  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack  
Emballer Tube  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Type d'entrée Standard  
type de IGBT -  
gate charge 33 nC  
Courant - Collecteur pulsée (Icm) 80 A  
Courant - Collecteur (Ic) (max) 23 A  
Numéro de produit de base STGF10  

Classifications environnementales et d'exportation

ATTRIBUT LA DESCRIPTION
État RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de portée REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STGF10NB60SD

Attributs du produit STGF10NB60SD STGD8NC60KT4 STGF10NC60KD STGF14NC60KD
Modèle de produit STGF10NB60SD STGD8NC60KT4 STGF10NC60KD STGF14NC60KD
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 700ns/1.2µs 17ns/72ns 17ns/72ns 22.5ns/116ns
gate charge 33 nC 19 nC 19 nC 34.4 nC
type de IGBT - - - -
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Courant - Collecteur (Ic) (max) 23 A 15 A 9 A 11 A
Courant - Collecteur pulsée (Icm) 80 A 30 A 30 A 50 A
énergie de commutation 600µJ (on), 5mJ (off) 55µJ (on), 85µJ (off) 55µJ (on), 85µJ (off) 82µJ (on), 155µJ (off)
Numéro de produit de base STGF10 STGD8 STGF10 STGF14
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 600 V 600 V 600 V 600 V
Condition de test 480V, 10A, 1kOhm, 15V 390V, 3A, 10Ohm, 15V 390V, 5A, 10Ohm, 15V 390V, 7A, 10Ohm, 15V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 1.75V @ 15V, 10A 2.75V @ 15V, 3A 2.5V @ 15V, 5A 2.5V @ 15V, 7A
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Package composant fournisseur TO-220FP DPAK TO-220FP TO-220FP
Séries PowerMESH™ PowerMESH™ PowerMESH™ PowerMESH™
Puissance - Max 25 W 62 W 25 W 28 W
Temps de recouvrement inverse (trr) 37 ns - 22 ns 37 ns
Type de montage Through Hole Surface Mount Through Hole Through Hole
Type d'entrée Standard Standard Standard Standard
Emballer Tube Tape & Reel (TR) Tube Tube

Fiche technique STGF10NB60SD PDF

Téléchargez STGF10NB60SD PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STGF10NB60SD - STMicroelectronics.

Assemblage / origine PCN
IPG/14/8597 17/Jul/2014.pdf
Feuilles de données
STG(F,P)10NB60SD.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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STGF10NB60SD

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