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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - IGBT - SingleSTGD8NC60KDT4
STGD8NC60KDT4 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STGD8NC60KDT4 - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STGD8NC60KDT4
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STGD8NC60KDT4
Modèle ECAD
Description des pièces
IGBT 600V 15A 62W DPAK
Description détaillée
Emballage
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Fiche technique
STGx8NC60KD.pdf
État RoHS
En stock: 43620

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STGD8NC60KDT4
STMicroelectronics - STGD8NC60KDT4 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STGD8NC60KDT4

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 600 V  
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 2.75V @ 15V, 3A  
Condition de test 390V, 3A, 10Ohm, 15V  
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 17ns/72ns  
énergie de commutation 55µJ (on), 85µJ (off)  
Package composant fournisseur DPAK  
Séries PowerMESH™  
Temps de recouvrement inverse (trr) 23.5 ns  
Puissance - Max 62 W  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Type d'entrée Standard  
type de IGBT -  
gate charge 19 nC  
Courant - Collecteur pulsée (Icm) 30 A  
Courant - Collecteur (Ic) (max) 15 A  
Numéro de produit de base STGD8  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STGD8NC60KDT4

Attributs du produit STGD8NC60KDT4 STGF10M65DF2 STGD7NB60ST4 STGF10NB60SD
Modèle de produit STGD8NC60KDT4 STGF10M65DF2 STGD7NB60ST4 STGF10NB60SD
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Type d'entrée Standard Standard Standard Standard
Package composant fournisseur DPAK TO-220FP DPAK TO-220FP
Séries PowerMESH™ M PowerMESH™ PowerMESH™
Condition de test 390V, 3A, 10Ohm, 15V 400V, 10A, 22Ohm, 15V 480V, 7A, 1kOhm, 15V 480V, 10A, 1kOhm, 15V
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 600 V 650 V 600 V 600 V
Puissance - Max 62 W 30 W 55 W 25 W
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 2.75V @ 15V, 3A 2V @ 15V, 10A 1.6V @ 15V, 7A 1.75V @ 15V, 10A
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 17ns/72ns 19ns/91ns 700ns/- 700ns/1.2µs
Numéro de produit de base STGD8 STGF10 STGD7 STGF10
Temps de recouvrement inverse (trr) 23.5 ns 96 ns - 37 ns
Type de montage Surface Mount Through Hole Surface Mount Through Hole
gate charge 19 nC 28 nC 33 nC 33 nC
Courant - Collecteur pulsée (Icm) 30 A 40 A 60 A 80 A
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-220-3 Full Pack TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-220-3 Full Pack
énergie de commutation 55µJ (on), 85µJ (off) 120µJ (on), 270µJ (off) 3.5mJ (off) 600µJ (on), 5mJ (off)
type de IGBT - Trench Field Stop - -
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Courant - Collecteur (Ic) (max) 15 A 20 A 15 A 23 A
Emballer Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR) Tube

Fiche technique STGD8NC60KDT4 PDF

Téléchargez STGD8NC60KDT4 PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STGD8NC60KDT4 - STMicroelectronics.

Emballage PCN
Mult Dev Inner Box Chg 9/Dec/2021.pdf
Conception / spécification PCN
New Lead Frame Design 17/Mar/2023.pdf
Feuilles de données
STGx8NC60KD.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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STGD8NC60KDT4

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32D-STGD8NC60KDT4

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