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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTFW6N120K3
STMicroelectronics
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STFW6N120K3 - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STFW6N120K3
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STFW6N120K3
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 1200V 6A ISOWATT
Description détaillée
Emballage
TO-3P-3 Full Pack
Fiche technique
ST(FW,P,W)6N120K3.pdf
État RoHS
En stock: 5250

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STFW6N120K3
STMicroelectronics - STFW6N120K3 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STFW6N120K3

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 100µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-3PF  
Séries SuperMESH3™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.4Ohm @ 2.5A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 63W (Tc)  
Package / Boîte TO-3P-3 Full Pack  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1050 pF @ 100 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 34 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 1200 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 6A (Tc)  
Numéro de produit de base STFW  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STFW6N120K3

Attributs du produit STFW6N120K3 STFW12N120K5 STFW69N65M5 STFW3N150
Modèle de produit STFW6N120K3 STFW12N120K5 STFW69N65M5 STFW3N150
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 34 nC @ 10 V 44.2 nC @ 10 V 143 nC @ 10 V 29.3 nC @ 10 V
Package / Boîte TO-3P-3 Full Pack TO-3P-3 Full Pack TO-3P-3 Full Pack TO-3P-3 Full Pack
Vgs (Max) ±30V ±30V ±25V ±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1050 pF @ 100 V 1370 pF @ 100 V 6420 pF @ 100 V 939 pF @ 25 V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Tension drain-source (Vdss) 1200 V 1200 V 650 V 1500 V
Dissipation de puissance (max) 63W (Tc) 63W (Tc) 79W (Tc) 63W (Tc)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 6A (Tc) 12A (Tc) 58A (Tc) 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.4Ohm @ 2.5A, 10V 690mOhm @ 6A, 10V 45mOhm @ 29A, 10V 9Ohm @ 1.3A, 10V
Package composant fournisseur TO-3PF TO-3PF TO-3PF TO-3PF
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 100µA 5V @ 100µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA
Numéro de produit de base STFW STFW12 STFW69 STFW3
Emballer Tube Tube Tube Tube
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Fonction FET - - - -
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Séries SuperMESH3™ MDmesh™ K5 MDmesh™ V PowerMESH™
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

Fiche technique STFW6N120K3 PDF

Téléchargez STFW6N120K3 PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STFW6N120K3 - STMicroelectronics.

Feuilles de données
ST(FW,P,W)6N120K3.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Mult Devices OBS 22/Jan/2018.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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