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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTFW12N120K5
STMicroelectronics
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STFW12N120K5 - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STFW12N120K5
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STFW12N120K5
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 1200V 12A ISOWATT
Description détaillée
Emballage
TO-3P-3 Full Pack
Fiche technique
STF(W)12N120K5.pdf
ST-MOSFET-Finder Brief.pdf
Spice Model Tutorial for Power MOSFETS.pdf
État RoHS
En stock: 5047

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STFW12N120K5
STMicroelectronics - STFW12N120K5 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STFW12N120K5

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 100µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-3PF  
Séries MDmesh™ K5  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 690mOhm @ 6A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 63W (Tc)  
Package / Boîte TO-3P-3 Full Pack  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1370 pF @ 100 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 44.2 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 1200 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 12A (Tc)  
Numéro de produit de base STFW12  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STFW12N120K5

Attributs du produit STFW12N120K5 STFW3N150 STFU15NM65N STFU13N65M2
Modèle de produit STFW12N120K5 STFW3N150 STFU15NM65N STFU13N65M2
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Vgs (Max) ±30V ±30V ±25V ±25V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 690mOhm @ 6A, 10V 9Ohm @ 1.3A, 10V 380mOhm @ 6A, 10V 430mOhm @ 5A, 10V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Tension drain-source (Vdss) 1200 V 1500 V 650 V 650 V
Dissipation de puissance (max) 63W (Tc) 63W (Tc) 30W (Tc) 25W (Tc)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Package / Boîte TO-3P-3 Full Pack TO-3P-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Fonction FET - - - -
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 100µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 12A (Tc) 2.5A (Tc) 12A (Tc) 10A (Tc)
Emballer Tube Tube Tube Tube
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 44.2 nC @ 10 V 29.3 nC @ 10 V 33.3 nC @ 10 V 17 nC @ 10 V
Package composant fournisseur TO-3PF TO-3PF TO-220FP TO-220FP
Numéro de produit de base STFW12 STFW3 STFU15 STFU13
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1370 pF @ 100 V 939 pF @ 25 V 983 pF @ 50 V 590 pF @ 100 V
Séries MDmesh™ K5 PowerMESH™ MDmesh™ II MDmesh™ M2
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel

Fiche technique STFW12N120K5 PDF

Téléchargez STFW12N120K5 PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STFW12N120K5 - STMicroelectronics.

PCN Obsolescence / EOL
Mult Dev OBS 3/Jul/2020.pdf Mult Dev Reinstate 6/Aug/2020.pdf
Feuilles de données
STF(W)12N120K5.pdf ST-MOSFET-Finder Brief.pdf Spice Model Tutorial for Power MOSFETS.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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