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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTFU18N60M2
STMicroelectronics
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STFU18N60M2 - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STFU18N60M2
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STFU18N60M2
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 600V TO-220FP
Description détaillée
Emballage
TO-220-3 Full Pack
Fiche technique
STFU18N60M2.pdf
État RoHS
En stock: 35798

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STFU18N60M2
STMicroelectronics - STFU18N60M2 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STFU18N60M2

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220FP  
Séries MDmesh™ M2  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 280mOhm @ 6.5A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 25W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 791 pF @ 100 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 21.5 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 600 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 13A (Tc)  
Numéro de produit de base STFU18  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STFU18N60M2

Attributs du produit STFU18N60M2 STFW38N65M5 STFU13N65M2 STFW3N150
Modèle de produit STFU18N60M2 STFW38N65M5 STFU13N65M2 STFW3N150
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 13A (Tc) 30A (Tc) 10A (Tc) 2.5A (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Fonction FET - - - -
Vgs (Max) ±25V ±25V ±25V ±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 791 pF @ 100 V 3000 pF @ 100 V 590 pF @ 100 V 939 pF @ 25 V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Numéro de produit de base STFU18 STFW38 STFU13 STFW3
Emballer Tube Tube Tube Tube
Dissipation de puissance (max) 25W (Tc) 57W (Tc) 25W (Tc) 63W (Tc)
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack TO-3P-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-3P-3 Full Pack
Tension drain-source (Vdss) 600 V 650 V 650 V 1500 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 280mOhm @ 6.5A, 10V 95mOhm @ 15A, 10V 430mOhm @ 5A, 10V 9Ohm @ 1.3A, 10V
Package composant fournisseur TO-220FP TO-3PF TO-220FP TO-3PF
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Séries MDmesh™ M2 MDmesh™ V MDmesh™ M2 PowerMESH™
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 21.5 nC @ 10 V 71 nC @ 10 V 17 nC @ 10 V 29.3 nC @ 10 V
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

Fiche technique STFU18N60M2 PDF

Téléchargez STFU18N60M2 PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STFU18N60M2 - STMicroelectronics.

Feuilles de données
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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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