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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTF6N62K3
STF6N62K3 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STF6N62K3 - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STF6N62K3
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STF6N62K3
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 620V 5.5A TO220FP
Description détaillée
Emballage
TO-220-3 Full Pack
Fiche technique
STx6N62K3.pdf
État RoHS
En stock: 49710

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STF6N62K3
STMicroelectronics - STF6N62K3 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STF6N62K3

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 50µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220FP  
Séries SuperMESH3™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.28Ohm @ 2.8A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 30W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 875 pF @ 50 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 34 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 620 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 5.5A (Tc)  
Numéro de produit de base STF6  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STF6N62K3

Attributs du produit STF6N62K3 STF6N65K3 STF5NK52ZD STF6N90K5
Modèle de produit STF6N62K3 STF6N65K3 STF5NK52ZD STF6N90K5
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 50µA 4.5V @ 50µA 4.5V @ 50µA 5V @ 100µA
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 875 pF @ 50 V 880 pF @ 50 V 529 pF @ 25 V -
Température de fonctionnement 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.28Ohm @ 2.8A, 10V 1.3Ohm @ 2.8A, 10V 1.5Ohm @ 2.2A, 10V 1.1Ohm @ 3A, 10V
Package composant fournisseur TO-220FP TO-220FP TO-220FP TO-220FP
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 5.5A (Tc) 5.4A (Tc) 4.4A (Tc) 6A (Tc)
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Dissipation de puissance (max) 30W (Tc) 30W (Tc) 25W (Tc) 25W (Tc)
Numéro de produit de base STF6 STF6 STF5N STF6
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Séries SuperMESH3™ SuperMESH3™ SuperMESH™ MDmesh™ K5
Fonction FET - - - -
Emballer Tube Tube Tube Tube
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 34 nC @ 10 V 35 nC @ 10 V 16.9 nC @ 10 V -
Tension drain-source (Vdss) 620 V 650 V 520 V 900 V

Fiche technique STF6N62K3 PDF

Téléchargez STF6N62K3 PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STF6N62K3 - STMicroelectronics.

Emballage PCN
Box Label Chg 28/Jul/2016.pdf
Assemblage / origine PCN
Assembly Location Expansion 05/Mar/2014.pdf
Conception / spécification PCN
Marking Layout 10/May/2023.pdf
Feuilles de données
STx6N62K3.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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STF6N62K3

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32D-STF6N62K3

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