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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTF6N90K5
STF6N90K5 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.
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STF6N90K5 - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STF6N90K5
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STF6N90K5
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 900V 6A TO220FP
Emballage
TO-220-3 Full Pack
Fiche technique
STF6N90K5.pdf
État RoHS
Notre certification
En stock: 46200

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Quantité
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Notre certification

Spécifications

Spécifications techniques STF6N90K5
STMicroelectronics - STF6N90K5 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STF6N90K5

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 100µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220FP  
Séries MDmesh™ K5  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.1Ohm @ 3A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 25W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Emballer Tube  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 900 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 6A (Tc)  
Numéro de produit de base STF6  

Classifications environnementales et d'exportation

ATTRIBUT LA DESCRIPTION
État RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de portée REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STF6N90K5

Attributs du produit STF6N90K5 STF6NK70Z STF6N65M2 STF6N95K5
Modèle de produit STF6N90K5 STF6NK70Z STF6N65M2 STF6N95K5
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Tension drain-source (Vdss) 900 V 700 V 650 V 950 V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Séries MDmesh™ K5 SuperMESH™ MDmesh™ SuperMESH5™
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.1Ohm @ 3A, 10V 1.8Ohm @ 2.5A, 10V 1.35Ohm @ 2A, 10V 1.25Ohm @ 3A, 10V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (Max) ±30V ±30V ±25V ±30V
Package composant fournisseur TO-220FP TO-220FP TO-220FP TO-220FP
Fonction FET - - - -
Dissipation de puissance (max) 25W (Tc) 30W (Tc) 20W (Tc) 25W (Tc)
Emballer Tube Tube Tube Tube
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Numéro de produit de base STF6 STF6N STF6 STF6
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 6A (Tc) 5A (Tc) 4A (Tc) 9A (Tc)
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 100µA 4.5V @ 100µA 4V @ 250µA 5V @ 100µA

Fiche technique STF6N90K5 PDF

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Feuilles de données
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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Note:
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STF6N90K5

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32D-STF6N90K5

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