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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTF32NM50N
STF32NM50N Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STF32NM50N - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STF32NM50N
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STF32NM50N
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N CH 500V 22A TO-220FP
Description détaillée
Emballage
TO-220-3 Full Pack
Fiche technique
STx32NM50N.pdf
État RoHS
En stock: 12315

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STF32NM50N
STMicroelectronics - STF32NM50N Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STF32NM50N

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220FP  
Séries MDmesh™ II  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 130mOhm @ 11A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 35W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1973 pF @ 50 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 62.5 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 500 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 22A (Tc)  
Numéro de produit de base STF32N  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STF32NM50N

Attributs du produit STF32NM50N STF34N65M5 STF30N10F7 STF31N65M5
Modèle de produit STF32NM50N STF34N65M5 STF30N10F7 STF31N65M5
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Fonction FET - - - -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1973 pF @ 50 V 2590 pF @ 100 V 1270 pF @ 50 V 816 pF @ 100 V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 22A (Tc) 28A (Tc) 24A (Tc) 22A (Tc)
Séries MDmesh™ II MDmesh™ V DeepGATE™, STripFET™ VII MDmesh™ V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 5V @ 250µA 4.5V @ 250µA 5V @ 250µA
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Vgs (Max) ±25V ±25V ±20V ±25V
Dissipation de puissance (max) 35W (Tc) 35W (Tc) 25W (Tc) 30W (Tc)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur TO-220FP TO-220FP TO-220FP TO-220FP
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 62.5 nC @ 10 V 70 nC @ 10 V 19 nC @ 10 V 45 nC @ 10 V
Température de fonctionnement 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 500 V 650 V 100 V 650 V
Emballer Tube Tube Tube Tube
Rds On (Max) @ Id, Vgs 130mOhm @ 11A, 10V 110mOhm @ 14.5A, 10V 24mOhm @ 16A, 10V 148mOhm @ 11A, 10V
Numéro de produit de base STF32N STF34 STF30 STF31
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack

Fiche technique STF32NM50N PDF

Téléchargez STF32NM50N PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STF32NM50N - STMicroelectronics.

Assemblage / origine PCN
Assembly Location Expansion 05/Mar/2014.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Mult Dev OBS 3/Jul/2020.pdf
Feuilles de données
STx32NM50N.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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STF32NM50N

STMicroelectronics
32D-STF32NM50N

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