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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTF30N65M5
STF30N65M5 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STF30N65M5 - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STF30N65M5
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STF30N65M5
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 650V 22A TO220FP
Description détaillée
Emballage
TO-220-3 Full Pack
Fiche technique
STx30N65M5.pdf
État RoHS
En stock: 5000

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STF30N65M5
STMicroelectronics - STF30N65M5 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STF30N65M5

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220FP  
Séries MDmesh™ V  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 139mOhm @ 11A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 30W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2880 pF @ 100 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 64 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 650 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 22A (Tc)  
Numéro de produit de base STF30N  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STF30N65M5

Attributs du produit STF30N65M5 STF31N65M5 STF2N62K3 STF2N80K5
Modèle de produit STF30N65M5 STF31N65M5 STF2N62K3 STF2N80K5
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Rds On (Max) @ Id, Vgs 139mOhm @ 11A, 10V 148mOhm @ 11A, 10V 3.6Ohm @ 1.1A, 10V 4.5Ohm @ 1A, 10V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 22A (Tc) 22A (Tc) 2.2A (Tc) 2A (Tc)
Température de fonctionnement 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 64 nC @ 10 V 45 nC @ 10 V 15 nC @ 10 V 3 nC @ 10 V
Numéro de produit de base STF30N STF31 STF2N62 STF2N80
Fonction FET - - - -
Vgs (Max) ±25V ±25V ±30V 30V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2880 pF @ 100 V 816 pF @ 100 V 340 pF @ 50 V 95 pF @ 100 V
Dissipation de puissance (max) 30W (Tc) 30W (Tc) 20W (Tc) 20W (Tc)
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Tension drain-source (Vdss) 650 V 650 V 620 V 800 V
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Séries MDmesh™ V MDmesh™ V SuperMESH3™ SuperMESH5™
Emballer Tube Tube Tube Tube
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur TO-220FP TO-220FP TO-220FP TO-220FP
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 5V @ 250µA 4.5V @ 50µA 5V @ 100µA

Fiche technique STF30N65M5 PDF

Téléchargez STF30N65M5 PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STF30N65M5 - STMicroelectronics.

Assemblage / origine PCN
Assembly Location Expansion 05/Mar/2014.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Multiple Devices 01/Aug/2014.pdf
Feuilles de données
STx30N65M5.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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