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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTF23NM50N
STF23NM50N Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STF23NM50N - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STF23NM50N
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STF23NM50N
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 500V 17A TO220FP
Description détaillée
Emballage
TO-220-3 Full Pack
Fiche technique
STx23NM50N.pdf
État RoHS
En stock: 14987

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STF23NM50N
STMicroelectronics - STF23NM50N Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STF23NM50N

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220FP  
Séries MDmesh™ II  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 190mOhm @ 8.5A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 30W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1330 pF @ 50 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 45 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 500 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 17A (Tc)  
Numéro de produit de base STF23  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STF23NM50N

Attributs du produit STF23NM50N STF24N60DM2 STF22NM60N STF24N60M2
Modèle de produit STF23NM50N STF24N60DM2 STF22NM60N STF24N60M2
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Température de fonctionnement 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Fonction FET - - - -
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Séries MDmesh™ II FDmesh™ II Plus MDmesh™ II MDmesh™ II Plus
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 100µA 4V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 45 nC @ 10 V 29 nC @ 10 V 44 nC @ 10 V 29 nC @ 10 V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Tension drain-source (Vdss) 500 V 600 V 600 V 600 V
Vgs (Max) ±25V ±25V ±30V ±25V
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Rds On (Max) @ Id, Vgs 190mOhm @ 8.5A, 10V 200mOhm @ 9A, 10V 220mOhm @ 8A, 10V 190mOhm @ 9A, 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1330 pF @ 50 V 1055 pF @ 100 V 1300 pF @ 50 V 1060 pF @ 100 V
Numéro de produit de base STF23 STF24 STF22 STF24
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 17A (Tc) 18A (Tc) 16A (Tc) 18A (Tc)
Dissipation de puissance (max) 30W (Tc) 30W (Tc) 30W (Tc) 30W (Tc)
Emballer Tube Tube Tube Tube
Package composant fournisseur TO-220FP TO-220 Full Pack TO-220FP TO-220FP

Fiche technique STF23NM50N PDF

Téléchargez STF23NM50N PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STF23NM50N - STMicroelectronics.

Assemblage / origine PCN
IPG/14/8597 17/Jul/2014.pdf
Emballage PCN
Box Label Chg 28/Jul/2016.pdf
Feuilles de données
STx23NM50N.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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STF23NM50N

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