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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTF13N60M2
STF13N60M2 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STF13N60M2 - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STF13N60M2
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STF13N60M2
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 600V 11A TO220FP
Description détaillée
Emballage
TO-220-3 Full Pack
Fiche technique
STF(I)13N60M2.pdf
État RoHS
En stock: 48170

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STF13N60M2
STMicroelectronics - STF13N60M2 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STF13N60M2

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220FP  
Séries MDmesh™ II Plus  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 380mOhm @ 5.5A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 25W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 580 pF @ 100 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 600 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 11A (Tc)  
Numéro de produit de base STF13  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STF13N60M2

Attributs du produit STF13N60M2 STF13N65M2 STF13N80K5 STF13N60DM2
Modèle de produit STF13N60M2 STF13N65M2 STF13N80K5 STF13N60DM2
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Emballer Tube Tube Tube Tube
Numéro de produit de base STF13 STF13 STF13 STF13
Fonction FET - - - -
Tension drain-source (Vdss) 600 V 650 V 800 V 600 V
Package composant fournisseur TO-220FP TO-220FP TO-220FP TO-220FP
Rds On (Max) @ Id, Vgs 380mOhm @ 5.5A, 10V 430mOhm @ 5A, 10V 450mOhm @ 6A, 10V 365mOhm @ 5.5A, 10V
Séries MDmesh™ II Plus MDmesh™ M2 SuperMESH5™ MDmesh™ DM2
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Dissipation de puissance (max) 25W (Tc) 25W (Tc) 35W (Tc) 25W (Tc)
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 100µA 5V @ 250µA
Vgs (Max) ±25V ±25V ±30V ±25V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 580 pF @ 100 V 590 pF @ 100 V 870 pF @ 100 V 730 pF @ 100 V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 10 V 17 nC @ 10 V 29 nC @ 10 V 19 nC @ 10 V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 11A (Tc) 10A (Tc) 12A (Tc) 11A (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)

Fiche technique STF13N60M2 PDF

Téléchargez STF13N60M2 PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STF13N60M2 - STMicroelectronics.

Emballage PCN
Box Label Chg 28/Jul/2016.pdf
Assemblage / origine PCN
Assembly Location Expansion 05/Mar/2014.pdf
Conception / spécification PCN
Marking Layout 10/May/2023.pdf
Feuilles de données
STF(I)13N60M2.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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STF13N60M2

STMicroelectronics
32D-STF13N60M2

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