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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTF12NM50ND
STF12NM50ND Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STF12NM50ND - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STF12NM50ND
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STF12NM50ND
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 500V 11A TO220FP
Description détaillée
Emballage
TO-220-3 Full Pack
Fiche technique
STF12NM50ND.pdf
État RoHS
En stock: 5390

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STF12NM50ND
STMicroelectronics - STF12NM50ND Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STF12NM50ND

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220FP  
Séries FDmesh™ II  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 380mOhm @ 5.5A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 25W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 850 pF @ 50 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 30 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 500 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 11A (Tc)  
Numéro de produit de base STF12  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STF12NM50ND

Attributs du produit STF12NM50ND STF130N10F3 STF12N65M5 STF12PF06
Modèle de produit STF12NM50ND STF130N10F3 STF12N65M5 STF12PF06
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Dissipation de puissance (max) 25W (Tc) 35W (Tc) 25W (Tc) 225W (Tc)
Package composant fournisseur TO-220FP TO-220FP TO-220FP TO-220FP
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-5 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Vgs (Max) ±25V ±20V ±25V ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 850 pF @ 50 V 3305 pF @ 25 V 900 pF @ 100 V 850 pF @ 25 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 380mOhm @ 5.5A, 10V 9.6mOhm @ 23A, 10V 430mOhm @ 4.3A, 10V 200mOhm @ 10A, 10V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 11A (Tc) 46A (Tc) 8.5A (Tc) 8A (Tc)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 30 nC @ 10 V 57 nC @ 10 V 22 nC @ 10 V 21 nC @ 10 V
Température de fonctionnement 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Emballer Tube Tube Tube Tube
Fonction FET - - - -
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
Tension drain-source (Vdss) 500 V 100 V 650 V 60 V
Numéro de produit de base STF12 STF13 STF12 STF12
Séries FDmesh™ II STripFET™ III MDmesh™ V STripFET™ II
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole

Fiche technique STF12NM50ND PDF

Téléchargez STF12NM50ND PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STF12NM50ND - STMicroelectronics.

Emballage PCN
Box Label Chg 28/Jul/2016.pdf
Assemblage / origine PCN
Assembly Location Expansion 05/Mar/2014.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Mult Dev EOL 17/Oct/2018.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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