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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTD9NM40N
STD9NM40N Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STD9NM40N - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STD9NM40N
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STD9NM40N
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 400V 5.6A DPAK
Description détaillée
Emballage
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Fiche technique
ST(D,P)9NM40N.pdf
État RoHS
En stock: 35600

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STD9NM40N
STMicroelectronics - STD9NM40N Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STD9NM40N

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur DPAK  
Séries MDmesh™ II  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 790mOhm @ 2.5A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 60W (Tc)  
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 365 pF @ 50 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 400 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 5.6A (Tc)  
Numéro de produit de base STD9  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STD9NM40N

Attributs du produit STD9NM40N STD9NM50N STD9NM60N STD9N80K5
Modèle de produit STD9NM40N STD9NM50N STD9NM60N STD9N80K5
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Rds On (Max) @ Id, Vgs 790mOhm @ 2.5A, 10V 790mOhm @ 2.5A, 10V 745mOhm @ 3.25A, 10V 900mOhm @ 3.5A, 10V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 5.6A (Tc) 5A (Tc) 6.5A (Tc) 7A (Tc)
Dissipation de puissance (max) 60W (Tc) 45W (Tc) 70W (Tc) 110W (Tc)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (Max) ±25V ±25V ±25V ±30V
Tension drain-source (Vdss) 400 V 500 V 600 V 800 V
Fonction FET - - - -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 365 pF @ 50 V 570 pF @ 50 V 452 pF @ 50 V 340 pF @ 100 V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 10 V 14 nC @ 10 V 17.4 nC @ 10 V 12 nC @ 10 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Séries MDmesh™ II MDmesh™ II MDmesh™ II MDmesh™ K5
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Package composant fournisseur DPAK DPAK DPAK DPAK
Température de fonctionnement 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Numéro de produit de base STD9 STD9 STD9 STD9
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 100µA

Fiche technique STD9NM40N PDF

Téléchargez STD9NM40N PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STD9NM40N - STMicroelectronics.

Assemblage / origine PCN
IPG-PWR/14/8603 21/Jul/2014.pdf
Feuilles de données
ST(D,P)9NM40N.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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STD9NM40N

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32D-STD9NM40N

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