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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTD9N40M2
STD9N40M2 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STD9N40M2 - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STD9N40M2
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STD9N40M2
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 400V 6A DPAK
Description détaillée
Emballage
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Fiche technique
STD9N40M2.pdf
État RoHS
En stock: 85490

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STD9N40M2
STMicroelectronics - STD9N40M2 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STD9N40M2

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur DPAK  
Séries MDmesh™ II Plus  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 800mOhm @ 3A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 60W (Tc)  
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 270 pF @ 100 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 8.8 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 400 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 6A (Tc)  
Numéro de produit de base STD9  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STD9N40M2

Attributs du produit STD9N40M2 STD9NM60N STD9N60M2 STD9NM50N
Modèle de produit STD9N40M2 STD9NM60N STD9N60M2 STD9NM50N
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Dissipation de puissance (max) 60W (Tc) 70W (Tc) 60W (Tc) 45W (Tc)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tension drain-source (Vdss) 400 V 600 V 600 V 500 V
Package composant fournisseur DPAK DPAK DPAK DPAK
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Fonction FET - - - -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 6A (Tc) 6.5A (Tc) 5.5A (Tc) 5A (Tc)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Numéro de produit de base STD9 STD9 STD9 STD9
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 270 pF @ 100 V 452 pF @ 50 V 320 pF @ 100 V 570 pF @ 50 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 800mOhm @ 3A, 10V 745mOhm @ 3.25A, 10V 780mOhm @ 3A, 10V 790mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (Max) ±25V ±25V ±25V ±25V
Séries MDmesh™ II Plus MDmesh™ II MDmesh™ II Plus MDmesh™ II
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 8.8 nC @ 10 V 17.4 nC @ 10 V 10 nC @ 10 V 14 nC @ 10 V
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

Fiche technique STD9N40M2 PDF

Téléchargez STD9N40M2 PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STD9N40M2 - STMicroelectronics.

Feuilles de données
STD9N40M2.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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STD9N40M2

STMicroelectronics
32D-STD9N40M2

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