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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTD7NM80-1
STD7NM80-1 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STD7NM80-1 - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STD7NM80-1
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STD7NM80-1
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 800V 6.5A IPAK
Description détaillée
Emballage
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Fiche technique
STx7NM80(-1) Datasheet.pdf
État RoHS
En stock: 22061

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STD7NM80-1
STMicroelectronics - STD7NM80-1 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STD7NM80-1

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-251 (IPAK)  
Séries MDmesh™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.05Ohm @ 3.25A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 90W (Tc)  
Package / Boîte TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 620 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 18 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 800 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 6.5A (Tc)  
Numéro de produit de base STD7  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STD7NM80-1

Attributs du produit STD7NM80-1 STD80N6F7 STD80N6F6 STD7NS20T4
Modèle de produit STD7NM80-1 STD80N6F7 STD80N6F6 STD7NS20T4
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 4V @ 250µA 4.5V @ 250µA 4V @ 250µA
Fonction FET - - - -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 18 nC @ 10 V 25 nC @ 10 V 122 nC @ 10 V 45 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.05Ohm @ 3.25A, 10V 8mOhm @ 20A, 10V 6.5mOhm @ 40A, 10V 400mOhm @ 3.5A, 10V
Emballer Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Package / Boîte TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Type de montage Through Hole Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 6.5A (Tc) 40A (Tc) 80A (Tc) 7A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Vgs (Max) ±30V ±20V ±20V ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 620 pF @ 25 V 1600 pF @ 30 V 7480 pF @ 25 V 540 pF @ 25 V
Numéro de produit de base STD7 STD80 STD80 STD7NS20
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) 150°C (TJ)
Séries MDmesh™ STripFET™ F7 Automotive, AEC-Q101, DeepGATE™, STripFET™ VI MESH OVERLAY™
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Dissipation de puissance (max) 90W (Tc) 100W (Tc) 120W (Tc) 45W (Tc)
Package composant fournisseur TO-251 (IPAK) D-PAK (TO-252) DPAK DPAK
Tension drain-source (Vdss) 800 V 60 V 60 V 200 V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel

Fiche technique STD7NM80-1 PDF

Téléchargez STD7NM80-1 PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STD7NM80-1 - STMicroelectronics.

PCN Obsolescence / EOL
Mult Dev OBS 3/Jul/2020.pdf
Feuilles de données
STx7NM80(-1) Datasheet.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
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Nouvelle-Zélande 5
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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STD7NM80-1

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32D-STD7NM80-1

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