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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTD7NM50N
STD7NM50N Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STD7NM50N - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STD7NM50N
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STD7NM50N
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 500V 5A DPAK
Description détaillée
Emballage
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Fiche technique
STx7NM50N(-1).pdf
État RoHS
En stock: 3990

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STD7NM50N
STMicroelectronics - STD7NM50N Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STD7NM50N

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur DPAK  
Séries MDmesh™ II  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 780mOhm @ 2.5A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 45W (Tc)  
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 400 pF @ 50 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 500 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 5A (Tc)  
Numéro de produit de base STD7  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STD7NM50N

Attributs du produit STD7NM50N STD7NM60N STD7NK40ZT4 STD7NM80-1
Modèle de produit STD7NM50N STD7NM60N STD7NK40ZT4 STD7NM80-1
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 400 pF @ 50 V 363 pF @ 50 V 535 pF @ 25 V 620 pF @ 25 V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4.5V @ 50µA 5V @ 250µA
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Fonction FET - - - -
Tension drain-source (Vdss) 500 V 600 V 400 V 800 V
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 780mOhm @ 2.5A, 10V 900mOhm @ 2.5A, 10V 1Ohm @ 2.7A, 10V 1.05Ohm @ 3.25A, 10V
Numéro de produit de base STD7 STD7NM60 STD7NK40 STD7
Vgs (Max) ±25V ±25V ±30V ±30V
Séries MDmesh™ II MDmesh™ II SuperMESH™ MDmesh™
Dissipation de puissance (max) 45W (Tc) 45W (Tc) 70W (Tc) 90W (Tc)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 5A (Tc) 5A (Tc) 5.4A (Tc) 6.5A (Tc)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 10 V 14 nC @ 10 V 26 nC @ 10 V 18 nC @ 10 V
Package composant fournisseur DPAK DPAK DPAK TO-251 (IPAK)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Through Hole

Fiche technique STD7NM50N PDF

Téléchargez STD7NM50N PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STD7NM50N - STMicroelectronics.

Feuilles de données
STx7NM50N(-1).pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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