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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTD7N60DM2
STMicroelectronics
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STD7N60DM2 - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STD7N60DM2
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STD7N60DM2
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 600V 6A DPAK
Description détaillée
Emballage
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Fiche technique
STD7N60DM2.pdf
État RoHS
En stock: 78740

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STD7N60DM2
STMicroelectronics - STD7N60DM2 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STD7N60DM2

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 4.75V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur D-PAK (TO-252)  
Séries MDmesh™ DM2  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 900mOhm @ 3A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 60W (Tc)  
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 324 pF @ 100 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 7.5 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 600 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 6A (Tc)  
Numéro de produit de base STD7N60  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STD7N60DM2

Attributs du produit STD7N60DM2 STD7N60M6 STD7N80K5 STD7N65M2
Modèle de produit STD7N60DM2 STD7N60M6 STD7N80K5 STD7N65M2
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Fonction FET - - - -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±25V ±25V ±30V ±25V
Package composant fournisseur D-PAK (TO-252) D-PAK (TO-252) DPAK DPAK
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 600 V 600 V 800 V 650 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 900mOhm @ 3A, 10V 900mOhm @ 2.5A, 10V 1.2Ohm @ 3A, 10V 1.15Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.75V @ 250µA 4.75V @ 250µA 5V @ 100µA 4V @ 250µA
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Numéro de produit de base STD7N60 STD7 STD7N80 STD7N65
Emballer Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 6A (Tc) 5.8A (Tc) 6A (Tc) 5A (Tc)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 324 pF @ 100 V 237 pF @ 100 V 360 pF @ 100 V 270 pF @ 100 V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 7.5 nC @ 10 V 5.1 nC @ 10 V 13.4 nC @ 10 V 9 nC @ 10 V
Dissipation de puissance (max) 60W (Tc) 72W (Tc) 110W (Tc) 60W (Tc)
Séries MDmesh™ DM2 - SuperMESH5™ MDmesh™

Fiche technique STD7N60DM2 PDF

Téléchargez STD7N60DM2 PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STD7N60DM2 - STMicroelectronics.

Emballage PCN
Mult Dev Inner Box Chg 9/Dec/2021.pdf
Feuilles de données
STD7N60DM2.pdf

Mode de transport

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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