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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTD7N52DK3
STD7N52DK3 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STD7N52DK3 - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STD7N52DK3
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STD7N52DK3
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 525V 6A DPAK
Description détaillée
Emballage
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Fiche technique
STx7N52DK3.pdf
État RoHS
En stock: 3880

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STD7N52DK3
STMicroelectronics - STD7N52DK3 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STD7N52DK3

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 50µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur DPAK  
Séries SuperFREDmesh3™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.15Ohm @ 3A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 90W (Tc)  
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 870 pF @ 50 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 33 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 525 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 6A (Tc)  
Numéro de produit de base STD7  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STD7N52DK3

Attributs du produit STD7N52DK3 STD7N80K5 STD7ANM60N STD7N65M2
Modèle de produit STD7N52DK3 STD7N80K5 STD7ANM60N STD7N65M2
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 50µA 5V @ 100µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 6A (Tc) 6A (Tc) 5A (Tc) 5A (Tc)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Température de fonctionnement 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (Max) ±30V ±30V ±25V ±25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 33 nC @ 10 V 13.4 nC @ 10 V 14 nC @ 10 V 9 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 870 pF @ 50 V 360 pF @ 100 V 363 pF @ 50 V 270 pF @ 100 V
Tension drain-source (Vdss) 525 V 800 V 600 V 650 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.15Ohm @ 3A, 10V 1.2Ohm @ 3A, 10V 900mOhm @ 2.5A, 10V 1.15Ohm @ 2.5A, 10V
Numéro de produit de base STD7 STD7N80 STD7ANM60 STD7N65
Séries SuperFREDmesh3™ SuperMESH5™ Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ II MDmesh™
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Dissipation de puissance (max) 90W (Tc) 110W (Tc) 45W (Tc) 60W (Tc)
Fonction FET - - - -
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur DPAK DPAK DPAK DPAK

Fiche technique STD7N52DK3 PDF

Téléchargez STD7N52DK3 PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STD7N52DK3 - STMicroelectronics.

PCN Obsolescence / EOL
Mult Dev OBS 3/Jul/2020.pdf
Assemblage / origine PCN
IPG-PWR/14/8552 23/Jun/2014.pdf
Feuilles de données
STx7N52DK3.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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STD7N52DK3

STMicroelectronics
32D-STD7N52DK3

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