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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTD2NK70Z-1
STD2NK70Z-1 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STD2NK70Z-1 - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STD2NK70Z-1
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STD2NK70Z-1
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 700V 1.6A IPAK
Description détaillée
Emballage
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Fiche technique
STD2NK70Z(-1).pdf
État RoHS
En stock: 4130

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STD2NK70Z-1
STMicroelectronics - STD2NK70Z-1 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STD2NK70Z-1

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 50µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur I-PAK  
Séries SuperMESH™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7Ohm @ 800mA, 10V  
Dissipation de puissance (max) 45W (Tc)  
Package / Boîte TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 280 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 11.4 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 700 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 1.6A (Tc)  
Numéro de produit de base STD2N  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STD2NK70Z-1

Attributs du produit STD2NK70Z-1 STD2NK90Z-1 STD2NK100Z STD30N10F7
Modèle de produit STD2NK70Z-1 STD2NK90Z-1 STD2NK100Z STD30N10F7
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 11.4 nC @ 10 V 27 nC @ 10 V 16 nC @ 10 V 19 nC @ 10 V
Emballer Tube Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tension drain-source (Vdss) 700 V 900 V 1000 V 100 V
Fonction FET - - - -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 1.6A (Tc) 2.1A (Tc) 1.85A (Tc) 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7Ohm @ 800mA, 10V 6.5Ohm @ 1.05A, 10V 8.5Ohm @ 900mA, 10V 24mOhm @ 16A, 10V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Package composant fournisseur I-PAK I-PAK DPAK DPAK
Type de montage Through Hole Through Hole Surface Mount Surface Mount
Séries SuperMESH™ SuperMESH™ SuperMESH™ DeepGATE™, STripFET™ VII
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 50µA 4.5V @ 50µA 4.5V @ 50µA 4.5V @ 250µA
Package / Boîte TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Numéro de produit de base STD2N STD2 STD2NK100 STD30
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 280 pF @ 25 V 485 pF @ 25 V 499 pF @ 25 V 1270 pF @ 50 V
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±20V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Dissipation de puissance (max) 45W (Tc) 70W (Tc) 70W (Tc) 50W (Tc)

Fiche technique STD2NK70Z-1 PDF

Téléchargez STD2NK70Z-1 PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STD2NK70Z-1 - STMicroelectronics.

Feuilles de données
STD2NK70Z(-1).pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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32D-STD2NK70Z-1

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