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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTD2NK100Z
STD2NK100Z Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STD2NK100Z - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STD2NK100Z
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STD2NK100Z
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 1000V 1.85A DPAK
Description détaillée
Emballage
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Fiche technique
STx2NK100Z.pdf
État RoHS
En stock: 37360

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STD2NK100Z
STMicroelectronics - STD2NK100Z Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STD2NK100Z

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 50µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur DPAK  
Séries SuperMESH™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.5Ohm @ 900mA, 10V  
Dissipation de puissance (max) 70W (Tc)  
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 499 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 16 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 1000 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 1.85A (Tc)  
Numéro de produit de base STD2NK100  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STD2NK100Z

Attributs du produit STD2NK100Z STD2NK60Z-1 STD2NK70ZT4 STD2NC45-1
Modèle de produit STD2NK100Z STD2NK60Z-1 STD2NK70ZT4 STD2NC45-1
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Tension drain-source (Vdss) 1000 V 600 V 700 V 450 V
Type de montage Surface Mount Through Hole Surface Mount Through Hole
Fonction FET - - - -
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Séries SuperMESH™ SuperMESH™ SuperMESH™ SuperMESH™
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Dissipation de puissance (max) 70W (Tc) 45W (Tc) 45W (Tc) 30W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -65°C ~ 150°C (TJ)
Emballer Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR) Tube
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 50µA 4.5V @ 50µA 4.5V @ 50µA 3.7V @ 250µA
Package composant fournisseur DPAK I-PAK DPAK TO-251 (IPAK)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 1.85A (Tc) 1.4A (Tc) 1.6A (Tc) 1.5A (Tc)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 16 nC @ 10 V 10 nC @ 10 V 11.4 nC @ 10 V 7 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.5Ohm @ 900mA, 10V 8Ohm @ 700mA, 10V 7Ohm @ 800mA, 10V 4.5Ohm @ 500mA, 10V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Numéro de produit de base STD2NK100 STD2N - STD2NC45
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 499 pF @ 25 V 170 pF @ 25 V 280 pF @ 25 V 160 pF @ 25 V

Fiche technique STD2NK100Z PDF

Téléchargez STD2NK100Z PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STD2NK100Z - STMicroelectronics.

Emballage PCN
Box Label Chg 28/Jul/2016.pdf Reel Design Change 22/Aug/2022.pdf
Assemblage / origine PCN
IPG-PWR/14/8552 23/Jun/2014.pdf
Feuilles de données
STx2NK100Z.pdf

Mode de transport

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Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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STD2NK100Z

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