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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTB21NM60N
STB21NM60N Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STB21NM60N - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STB21NM60N
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STB21NM60N
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 600V 17A D2PAK
Description détaillée
Emballage
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique
STx21NM60N(-1).pdf
État RoHS
En stock: 4240

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STB21NM60N
STMicroelectronics - STB21NM60N Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STB21NM60N

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur D2PAK  
Séries MDmesh™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 220mOhm @ 8.5A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 140W (Tc)  
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1900 pF @ 50 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 66 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 600 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 17A (Tc)  
Numéro de produit de base STB21N  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STB21NM60N

Attributs du produit STB21NM60N STB22NM60N STB22NS25ZT4 STB21N65M5
Modèle de produit STB21NM60N STB22NM60N STB22NS25ZT4 STB21N65M5
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Tension drain-source (Vdss) 600 V 600 V 250 V 650 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1900 pF @ 50 V 1300 pF @ 50 V 2400 pF @ 25 V 1950 pF @ 100 V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Dissipation de puissance (max) 140W (Tc) 125W (Tc) 135W (Tc) 125W (Tc)
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 100µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 220mOhm @ 8.5A, 10V 220mOhm @ 8A, 10V 150mOhm @ 11A, 10V 190mOhm @ 8.5A, 10V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 17A (Tc) 16A (Tc) 22A (Tc) 17A (Tc)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 66 nC @ 10 V 44 nC @ 10 V 151 nC @ 10 V 50 nC @ 10 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Numéro de produit de base STB21N STB22 STB22N STB21
Package composant fournisseur D2PAK D²PAK (TO-263) D2PAK D2PAK
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Séries MDmesh™ MDmesh™ II MESH OVERLAY™ MDmesh™ V
Vgs (Max) ±25V ±30V ±20V ±25V
Fonction FET - - - -
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Température de fonctionnement 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

Fiche technique STB21NM60N PDF

Téléchargez STB21NM60N PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STB21NM60N - STMicroelectronics.

Feuilles de données
STx21NM60N(-1).pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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