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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTB21NM60N-1
STB21NM60N-1 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STB21NM60N-1 - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STB21NM60N-1
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STB21NM60N-1
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 600V 17A I2PAK
Description détaillée
Emballage
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Fiche technique
STx21NM60N(-1).pdf
État RoHS
En stock: 4910

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STB21NM60N-1
STMicroelectronics - STB21NM60N-1 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STB21NM60N-1

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur I2PAK  
Séries MDmesh™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 220mOhm @ 8.5A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 140W (Tc)  
Package / Boîte TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1900 pF @ 50 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 66 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 600 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 17A (Tc)  
Numéro de produit de base STB21N  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STB21NM60N-1

Attributs du produit STB21NM60N-1 STB21NK50Z STB21NM60ND STB21NM60N
Modèle de produit STB21NM60N-1 STB21NK50Z STB21NM60ND STB21NM60N
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 17A (Tc) 17A (Tc) 17A (Tc) 17A (Tc)
Type de montage Through Hole Surface Mount Surface Mount Surface Mount
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss) 600 V 500 V 600 V 600 V
Fonction FET - - - -
Séries MDmesh™ Automotive, AEC-Q101, SuperMESH™ FDmesh™ II MDmesh™
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Package / Boîte TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs (Max) ±25V ±30V ±25V ±25V
Température de fonctionnement 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4.5V @ 100µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1900 pF @ 50 V 2600 pF @ 25 V 1800 pF @ 50 V 1900 pF @ 50 V
Emballer Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Dissipation de puissance (max) 140W (Tc) 190W (Tc) 140W (Tc) 140W (Tc)
Package composant fournisseur I2PAK D2PAK D2PAK D2PAK
Numéro de produit de base STB21N STB21N STB21N STB21N
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 66 nC @ 10 V 119 nC @ 10 V 60 nC @ 10 V 66 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 220mOhm @ 8.5A, 10V 270mOhm @ 8.5A, 10V 220mOhm @ 8.5A, 10V 220mOhm @ 8.5A, 10V

Fiche technique STB21NM60N-1 PDF

Téléchargez STB21NM60N-1 PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STB21NM60N-1 - STMicroelectronics.

Feuilles de données
STx21NM60N(-1).pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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