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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSCT50N120
SCT50N120 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

SCT50N120 - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
SCT50N120
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-SCT50N120
Modèle ECAD
Description des pièces
SICFET N-CH 1200V 65A HIP247
Description détaillée
Emballage
TO-247-3
Fiche technique
SCT50N120.pdf
Fine Tune SIC MOSFET Gate Driver.pdf
État RoHS
En stock: 1235

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques SCT50N120
STMicroelectronics - SCT50N120 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - SCT50N120

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 1mA  
Vgs (Max) +25V, -10V  
La technologie SiCFET (Silicon Carbide)  
Package composant fournisseur HiP247™  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 69mOhm @ 40A, 20V  
Dissipation de puissance (max) 318W (Tc)  
Package / Boîte TO-247-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 200°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1900 pF @ 400 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 122 nC @ 20 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 20V  
Tension drain-source (Vdss) 1200 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 65A (Tc)  
Numéro de produit de base SCT50  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics SCT50N120

Attributs du produit SCT50N120 SCT30N120 SCT30N120D2 SCT35N65G2V
Modèle de produit SCT50N120 SCT30N120 SCT30N120D2 SCT35N65G2V
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 122 nC @ 20 V 105 nC @ 20 V 105 nC @ 20 V -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 65A (Tc) 40A (Tc) 40A (Tc) -
Tension drain-source (Vdss) 1200 V 1200 V 1200 V -
Température de fonctionnement -55°C ~ 200°C (TJ) -55°C ~ 200°C (TJ) -55°C ~ 200°C (TJ) -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 20V 20V 20V -
Séries - - - -
Numéro de produit de base SCT50 SCT30 SCT30 -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1900 pF @ 400 V 1700 pF @ 400 V 1700 pF @ 400 V -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 69mOhm @ 40A, 20V 100mOhm @ 20A, 20V 100mOhm @ 20A, 20V -
Emballer Tube Tube Tray -
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 1mA 2.6V @ 1mA (Typ) 3.5V @ 1mA -
Package composant fournisseur HiP247™ HiP247™ HiP247™ -
Fonction FET - - - -
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel -
Package / Boîte TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 -
La technologie SiCFET (Silicon Carbide) SiCFET (Silicon Carbide) SiCFET (Silicon Carbide) -
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole -
Dissipation de puissance (max) 318W (Tc) 270W (Tc) 270W (Tc) -
Vgs (Max) +25V, -10V +25V, -10V +25V, -10V -

Fiche technique SCT50N120 PDF

Téléchargez SCT50N120 PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour SCT50N120 - STMicroelectronics.

Feuilles de données
SCT50N120.pdf Fine Tune SIC MOSFET Gate Driver.pdf
Conception / spécification PCN
Lead Frame Base Material 20/Dec/2021.pdf
Assemblage / origine PCN
SCTx/Hx/Wx 16/Jun/2022.pdf

Mode de transport

Délai de livraison

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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