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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSCT30N120
SCT30N120 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

SCT30N120 - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
SCT30N120
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-SCT30N120
Modèle ECAD
Description des pièces
SICFET N-CH 1200V 40A HIP247
Description détaillée
Emballage
TO-247-3
Fiche technique
Fine Tune SIC MOSFET Gate Driver.pdf
SCT30N120.pdf
État RoHS
En stock: 2126

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques SCT30N120
STMicroelectronics - SCT30N120 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - SCT30N120

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.6V @ 1mA (Typ)  
Vgs (Max) +25V, -10V  
La technologie SiCFET (Silicon Carbide)  
Package composant fournisseur HiP247™  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 20A, 20V  
Dissipation de puissance (max) 270W (Tc)  
Package / Boîte TO-247-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 200°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1700 pF @ 400 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 105 nC @ 20 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 20V  
Tension drain-source (Vdss) 1200 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 40A (Tc)  
Numéro de produit de base SCT30  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics SCT30N120

Attributs du produit SCT30N120 SCT30N120D2 SCT3030ALGC11 SCT3080ALGC11
Modèle de produit SCT30N120 SCT30N120D2 SCT3030ALGC11 SCT3080ALGC11
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Séries - - - -
Emballer Tube Tray Tube Tube
Fonction FET - - - -
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Numéro de produit de base SCT30 SCT30 SCT3030 SCT3080
Tension drain-source (Vdss) 1200 V 1200 V 650 V 650 V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 105 nC @ 20 V 105 nC @ 20 V 104 nC @ 18 V 48 nC @ 18 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1700 pF @ 400 V 1700 pF @ 400 V 1526 pF @ 500 V 571 pF @ 500 V
Package / Boîte TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
La technologie SiCFET (Silicon Carbide) SiCFET (Silicon Carbide) SiCFET (Silicon Carbide) SiCFET (Silicon Carbide)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 20A, 20V 100mOhm @ 20A, 20V 39mOhm @ 27A, 18V 104mOhm @ 10A, 18V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 20V 20V 18V 18V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 40A (Tc) 40A (Tc) 70A (Tc) 30A (Tc)
Vgs (th) (Max) @ Id 2.6V @ 1mA (Typ) 3.5V @ 1mA 5.6V @ 13.3mA 5.6V @ 5mA
Dissipation de puissance (max) 270W (Tc) 270W (Tc) 262W (Tc) 134W (Tc)
Vgs (Max) +25V, -10V +25V, -10V +22V, -4V +22V, -4V
Température de fonctionnement -55°C ~ 200°C (TJ) -55°C ~ 200°C (TJ) 175°C (TJ) 175°C (TJ)
Package composant fournisseur HiP247™ HiP247™ TO-247N TO-247N

Fiche technique SCT30N120 PDF

Téléchargez SCT30N120 PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour SCT30N120 - STMicroelectronics.

Feuilles de données
Fine Tune SIC MOSFET Gate Driver.pdf SCT30N120.pdf
Conception / spécification PCN
Lead Frame Base Material 20/Dec/2021.pdf
Assemblage / origine PCN
SCTx/Hx/Wx 16/Jun/2022.pdf

Mode de transport

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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