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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleRJK2076DPA-00#J5A
Renesas Electronics America Inc
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

RJK2076DPA-00#J5A - Renesas Electronics America Inc

Fabricant Modèle de produit
RJK2076DPA-00#J5A
Fabricant
Renesas Electronics Corporation
Allelco Modèle de produit
32D-RJK2076DPA-00#J5A
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 200V 20A WPAK
Description détaillée
Emballage
8-PowerVDFN
Fiche technique
RJK2076DPA-00#J5A.pdf
État RoHS
En stock: 16391

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques RJK2076DPA-00#J5A
Renesas Electronics America Inc - RJK2076DPA-00#J5A Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Renesas Electronics America Inc - RJK2076DPA-00#J5A

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Renesas Electronics Corporation  
Vgs (th) (Max) @ Id -  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur WPAK(3F) (5x6)  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 85mOhm @ 10A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 65W (Tc)  
Package / Boîte 8-PowerVDFN  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1200 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 19 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 200 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 20A (Ta)  
Numéro de produit de base RJK2076  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Renesas Electronics America Inc RJK2076DPA-00#J5A

Attributs du produit RJK2076DPA-00#J5A RJK2075DPA-00#J5A RJK2557DPA-00#J0 RJK2555DPA-00#J0
Modèle de produit RJK2076DPA-00#J5A RJK2075DPA-00#J5A RJK2557DPA-00#J0 RJK2555DPA-00#J0
Fabricant Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 85mOhm @ 10A, 10V 69mOhm @ 10A, 10V 128mOhm @ 8.5A, 10V 104mOhm @ 8.5A, 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1200 pF @ 25 V 2200 pF @ 25 V 1250 pF @ 25 V 2400 pF @ 25 V
Vgs (th) (Max) @ Id - - - -
Package composant fournisseur WPAK(3F) (5x6) WPAK(3F) (5x6) 8-WPAK (3) 8-WPAK (3)
Dissipation de puissance (max) 65W (Tc) 65W (Ta) 30W (Tc) 30W (Tc)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Numéro de produit de base RJK2076 RJK2075 RJK2557 RJK2555
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Séries - - - -
Température de fonctionnement 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Package / Boîte 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerWDFN 8-PowerWDFN
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 20A (Ta) 20A (Ta) 17A (Ta) 17A (Ta)
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 19 nC @ 10 V 38 nC @ 10 V 20 nC @ 10 V 39 nC @ 10 V
Fonction FET - - - -
Tension drain-source (Vdss) 200 V 200 V 250 V 250 V

Fiche technique RJK2076DPA-00#J5A PDF

Téléchargez RJK2076DPA-00#J5A PDF DataSheets et Documentation Renesas Electronics America Inc pour RJK2076DPA-00#J5A - Renesas Electronics America Inc.

Emballage PCN
Label Change-All Devices 01/Dec/2022.pdf

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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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