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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleRJK2075DPA-00#J5A
Renesas Electronics America Inc
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

RJK2075DPA-00#J5A - Renesas Electronics America Inc

Fabricant Modèle de produit
RJK2075DPA-00#J5A
Fabricant
Renesas Electronics Corporation
Allelco Modèle de produit
32D-RJK2075DPA-00#J5A
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CHANNEL 200V 20A WPAK
Description détaillée
Emballage
8-PowerVDFN
Fiche technique
RJK2075DPA-00#J5A.pdf
État RoHS
En stock: 33075

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques RJK2075DPA-00#J5A
Renesas Electronics America Inc - RJK2075DPA-00#J5A Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Renesas Electronics America Inc - RJK2075DPA-00#J5A

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Renesas Electronics Corporation  
Vgs (th) (Max) @ Id -  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur WPAK(3F) (5x6)  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 69mOhm @ 10A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 65W (Ta)  
Package / Boîte 8-PowerVDFN  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2200 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 38 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 200 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 20A (Ta)  
Numéro de produit de base RJK2075  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Renesas Electronics America Inc RJK2075DPA-00#J5A

Attributs du produit RJK2075DPA-00#J5A RJK2555DPA-00#J0 RJK2076DPA-00#J5A RJK2557DPA-00#J0
Modèle de produit RJK2075DPA-00#J5A RJK2555DPA-00#J0 RJK2076DPA-00#J5A RJK2557DPA-00#J0
Fabricant Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc
Rds On (Max) @ Id, Vgs 69mOhm @ 10A, 10V 104mOhm @ 8.5A, 10V 85mOhm @ 10A, 10V 128mOhm @ 8.5A, 10V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 20A (Ta) 17A (Ta) 20A (Ta) 17A (Ta)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Dissipation de puissance (max) 65W (Ta) 30W (Tc) 65W (Tc) 30W (Tc)
Température de fonctionnement 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Numéro de produit de base RJK2075 RJK2555 RJK2076 RJK2557
Séries - - - -
Fonction FET - - - -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2200 pF @ 25 V 2400 pF @ 25 V 1200 pF @ 25 V 1250 pF @ 25 V
Package / Boîte 8-PowerVDFN 8-PowerWDFN 8-PowerVDFN 8-PowerWDFN
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur WPAK(3F) (5x6) 8-WPAK (3) WPAK(3F) (5x6) 8-WPAK (3)
Vgs (th) (Max) @ Id - - - -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 38 nC @ 10 V 39 nC @ 10 V 19 nC @ 10 V 20 nC @ 10 V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tension drain-source (Vdss) 200 V 250 V 200 V 250 V

Fiche technique RJK2075DPA-00#J5A PDF

Téléchargez RJK2075DPA-00#J5A PDF DataSheets et Documentation Renesas Electronics America Inc pour RJK2075DPA-00#J5A - Renesas Electronics America Inc.

Emballage PCN
Label Change-All Devices 01/Dec/2022.pdf

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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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