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AccueilCentre des produitsCircuits intégrés (ci)MémoireR1WV6416RBG-5SI#B0
Renesas Electronics America Inc
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

R1WV6416RBG-5SI#B0 - Renesas Electronics America Inc

Fabricant Modèle de produit
R1WV6416RBG-5SI#B0
Fabricant
Renesas Electronics Corporation
Allelco Modèle de produit
32D-R1WV6416RBG-5SI#B0
Modèle ECAD
Description des pièces
IC SRAM 64MBIT PARALLEL 48TFBGA
Description détaillée
Emballage
48-TFBGA
Fiche technique
R1WV6416RBG-5SI#B0.pdf
État RoHS
En stock: 4560

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques R1WV6416RBG-5SI#B0
Renesas Electronics America Inc - R1WV6416RBG-5SI#B0 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Renesas Electronics America Inc - R1WV6416RBG-5SI#B0

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Renesas Electronics Corporation  
Écrire le temps de cycle - Word, Page 55ns  
Tension - Alimentation 2.7V ~ 3.6V  
La technologie SRAM  
Package composant fournisseur 48-TFBGA (8.5x11)  
Séries -  
Package / Boîte 48-TFBGA  
Emballer Tray  
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Type de montage Surface Mount  
Type de mémoire Volatile  
Taille mémoire 64Mbit  
Organisation de mémoire 8M x 8, 4M x 16  
Interface mémoire Parallel  
Format de mémoire SRAM  
Numéro de produit de base R1WV6416  
Temps d'accès 55 ns  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Renesas Electronics America Inc R1WV6416RBG-5SI#B0

Attributs du produit R1WV6416RBG-5SI#B0 MT48H8M32LFB5-10 25AA080-I/SN IS42S16800E-75ETLI
Modèle de produit R1WV6416RBG-5SI#B0 MT48H8M32LFB5-10 25AA080-I/SN IS42S16800E-75ETLI
Fabricant Renesas Electronics America Inc Micron Technology Inc. Microchip Technology ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Package / Boîte 48-TFBGA 90-VFBGA 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 54-TSOP (0.400', 10.16mm Width)
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA) 0°C ~ 70°C (TA) -40°C ~ 85°C (TA) -40°C ~ 85°C (TA)
Emballer Tray Box Tube Tray
Taille mémoire 64Mbit 256Mbit 8Kbit 128Mbit
Temps d'accès 55 ns 7 ns - 5.4 ns
Type de mémoire Volatile Volatile Non-Volatile Volatile
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tension - Alimentation 2.7V ~ 3.6V 1.7V ~ 1.95V 1.8V ~ 5.5V 3V ~ 3.6V
Format de mémoire SRAM DRAM EEPROM DRAM
Organisation de mémoire 8M x 8, 4M x 16 8M x 32 1K x 8 8M x 16
Interface mémoire Parallel Parallel SPI Parallel
Écrire le temps de cycle - Word, Page 55ns 15ns 5ms -
Séries - - - -
Package composant fournisseur 48-TFBGA (8.5x11) 90-VFBGA (8x13) 8-SOIC 54-TSOP II
Numéro de produit de base R1WV6416 MT48H8M32 25AA080 IS42S16800
La technologie SRAM SDRAM - Mobile LPSDR EEPROM SDRAM

Fiche technique R1WV6416RBG-5SI#B0 PDF

Téléchargez R1WV6416RBG-5SI#B0 PDF DataSheets et Documentation Renesas Electronics America Inc pour R1WV6416RBG-5SI#B0 - Renesas Electronics America Inc.

Emballage PCN
Label Change-All Devices 01/Dec/2022.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Mult Devices EOL 16/Aug/2018.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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