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AccueilCentre des produitsCircuits intégrés (ci)MémoireR1WV3216RBG-7SI#B0
R1WV3216RBG-7SI#B0 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

R1WV3216RBG-7SI#B0 - Renesas Electronics America Inc

Fabricant Modèle de produit
R1WV3216RBG-7SI#B0
Fabricant
Renesas Electronics Corporation
Allelco Modèle de produit
32D-R1WV3216RBG-7SI#B0
Modèle ECAD
Description des pièces
IC SRAM 32MBIT PARALLEL 48TFBGA
Description détaillée
Emballage
48-TFBGA
Fiche technique
R1WV3216RBG-7SI#B0.pdf
État RoHS
En stock: 17270

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques R1WV3216RBG-7SI#B0
Renesas Electronics America Inc - R1WV3216RBG-7SI#B0 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Renesas Electronics America Inc - R1WV3216RBG-7SI#B0

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Renesas Electronics Corporation  
Écrire le temps de cycle - Word, Page 70ns  
Tension - Alimentation 2.7V ~ 3.6V  
La technologie SRAM  
Package composant fournisseur 48-TFBGA (7.5x8.5)  
Séries -  
Package / Boîte 48-TFBGA  
Emballer Tube  
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Type de montage Surface Mount  
Type de mémoire Volatile  
Taille mémoire 32Mbit  
Organisation de mémoire 2M x 16  
Interface mémoire Parallel  
Format de mémoire SRAM  
Numéro de produit de base R1WV3216  
Temps d'accès 70 ns  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Renesas Electronics America Inc R1WV3216RBG-7SI#B0

Attributs du produit R1WV3216RBG-7SI#B0 R1WV6416RBG-5SI#B0 S25FS512SAGNFI011 CY7C1373D-133AXI
Modèle de produit R1WV3216RBG-7SI#B0 R1WV6416RBG-5SI#B0 S25FS512SAGNFI011 CY7C1373D-133AXI
Fabricant Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc Infineon Technologies Infineon Technologies
Interface mémoire Parallel Parallel SPI - Quad I/O, QPI Parallel
Écrire le temps de cycle - Word, Page 70ns 55ns - -
Emballer Tube Tray Tube Tray
Tension - Alimentation 2.7V ~ 3.6V 2.7V ~ 3.6V 1.7V ~ 2V 3.135V ~ 3.6V
La technologie SRAM SRAM FLASH - NOR SRAM - Synchronous, SDR
Package composant fournisseur 48-TFBGA (7.5x8.5) 48-TFBGA (8.5x11) 8-WSON (6x8) 100-TQFP (14x20)
Taille mémoire 32Mbit 64Mbit 512Mbit 18Mbit
Organisation de mémoire 2M x 16 8M x 8, 4M x 16 64M x 8 1M x 18
Type de mémoire Volatile Volatile Non-Volatile Volatile
Séries - - FS-S NoBL™
Temps d'accès 70 ns 55 ns - 6.5 ns
Package / Boîte 48-TFBGA 48-TFBGA 8-WDFN Exposed Pad 100-LQFP
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA) -40°C ~ 85°C (TA) -40°C ~ 85°C (TA) -40°C ~ 85°C (TA)
Numéro de produit de base R1WV3216 R1WV6416 S25FS512 CY7C1373
Format de mémoire SRAM SRAM FLASH SRAM

Fiche technique R1WV3216RBG-7SI#B0 PDF

Téléchargez R1WV3216RBG-7SI#B0 PDF DataSheets et Documentation Renesas Electronics America Inc pour R1WV3216RBG-7SI#B0 - Renesas Electronics America Inc.

Emballage PCN
Label Change-All Devices 01/Dec/2022.pdf Mult Devices Tape 31/Jan/2018.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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