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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleAPT12F60K
APT12F60K Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

APT12F60K - Microsemi Corporation

Fabricant Modèle de produit
APT12F60K
Fabricant
Microsemi
Allelco Modèle de produit
32D-APT12F60K
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 600V 12A TO220
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
Power Products Catalog.pdf
APT12F60K.pdf
État RoHS
En stock: 4320

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques APT12F60K
Microsemi Corporation - APT12F60K Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Microsemi Corporation - APT12F60K

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Microsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 500µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220 [K]  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 620mOhm @ 6A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 225W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2200 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 55 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 600 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 12A (Tc)  
Numéro de produit de base APT12F60  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Microsemi Corporation APT12F60K

Attributs du produit APT12F60K APT13003DZTR-G1 APT13003DI-G1 APT1231SX
Modèle de produit APT12F60K APT13003DZTR-G1 APT13003DI-G1 APT1231SX
Fabricant Microsemi Corporation Diodes Incorporated Diodes Incorporated Panasonic Electric Works
Numéro de produit de base APT12F60 APT13003 APT13003 APT1231
La technologie MOSFET (Metal Oxide) - - -
Package / Boîte TO-220-3 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA 4-SMD, Gull Wing
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -65°C ~ 150°C (TJ) -65°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 100°C
Fonction FET - - - -
Dissipation de puissance (max) 225W (Tc) - - -
Vgs (Max) ±30V - - -
Emballer Tube Cut Tape (CT) Tube Tape & Reel (TR)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2200 pF @ 25 V - - -
Séries - - - APT
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Surface Mount
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 12A (Tc) - - -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 55 nC @ 10 V - - -
Tension drain-source (Vdss) 600 V - - -
Package composant fournisseur TO-220 [K] TO-92 TO-251 4-SOP
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 500µA - - -
type de FET N-Channel - - -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 620mOhm @ 6A, 10V - - -

Fiche technique APT12F60K PDF

Téléchargez APT12F60K PDF DataSheets et Documentation Microsemi Corporation pour APT12F60K - Microsemi Corporation.

Informations environnementales
Microchip CA Prop65.pdf Microchip REACH.pdf Microchip RoHS.pdf
Fiche technique HTML
Power Products Catalog.pdf
Feuilles de données
APT12F60K.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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APT12F60K

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