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AccueilCentre des produitsCircuits intégrés (ci)PMIC - Gate pilotesHIP2100IRZT
HIP2100IRZT Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

HIP2100IRZT - Renesas Electronics America Inc

Fabricant Modèle de produit
HIP2100IRZT
Fabricant
Renesas Electronics Corporation
Allelco Modèle de produit
32D-HIP2100IRZT
Modèle ECAD
Description des pièces
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16QFN
Description détaillée
Emballage
16-VQFN Exposed Pad
Fiche technique
HIP2100IRZT.pdf
État RoHS
En stock: 14679

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques HIP2100IRZT
Renesas Electronics America Inc - HIP2100IRZT Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Renesas Electronics America Inc - HIP2100IRZT

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Renesas Electronics Corporation  
Tension - Alimentation 9V ~ 14V  
Package composant fournisseur 16-QFN (5x5)  
Séries -  
Rise / Fall Time (Typ) 10ns, 10ns  
Package / Boîte 16-VQFN Exposed Pad  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Nombre de conducteurs 2  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Type de montage Surface Mount  
Tension logique - VIL, VIH 4V, 7V  
Type d'entrée Non-Inverting  
Côté haut potentiel - Max (Bootstrap) 114 V  
Type de porte N-Channel MOSFET  
Configuration pilotée Half-Bridge  
Current - Peak Output (Source, Évier) 2A, 2A  
courant de charge Independent  
Numéro de produit de base HIP2100  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Renesas Electronics America Inc HIP2100IRZT

Attributs du produit HIP2100IRZT HIP2101IBZT HIP2100IRZ HIP2100IB
Modèle de produit HIP2100IRZT HIP2101IBZT HIP2100IRZ HIP2100IB
Fabricant Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc Intersil Intersil
Rise / Fall Time (Typ) 10ns, 10ns 10ns, 10ns 10ns, 10ns 10ns, 10ns
Current - Peak Output (Source, Évier) 2A, 2A 2A, 2A 2A, 2A 2A, 2A
courant de charge Independent Independent Independent Independent
Type de porte N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Séries - - - -
Tension - Alimentation 9V ~ 14V 9V ~ 14V 9V ~ 14V 9V ~ 14V
Package composant fournisseur 16-QFN (5x5) 8-SOIC 16-QFN (5x5) 8-SOIC
Package / Boîte 16-VQFN Exposed Pad 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 16-VQFN Exposed Pad 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Côté haut potentiel - Max (Bootstrap) 114 V 114 V 114 V 114 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration pilotée Half-Bridge Half-Bridge Half-Bridge Half-Bridge
Tension logique - VIL, VIH 4V, 7V 0.8V, 2.2V 4V, 7V 4V, 7V
Type d'entrée Non-Inverting Non-Inverting Non-Inverting Non-Inverting
Numéro de produit de base HIP2100 HIP2101 HIP2100 HIP2100
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Tube
Nombre de conducteurs 2 2 2 2

Fiche technique HIP2100IRZT PDF

Téléchargez HIP2100IRZT PDF DataSheets et Documentation Renesas Electronics America Inc pour HIP2100IRZT - Renesas Electronics America Inc.

Emballage PCN
Label Change-All Devices 01/Dec/2022.pdf
Assemblage / origine PCN
Alternate Assembly Site 12/Mar/2014.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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32D-HIP2100IRZT

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