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AccueilCentre des produitsCircuits intégrés (ci)PMIC - Gate pilotesHIP2100IBT
HIP2100IBT Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

HIP2100IBT - Renesas Electronics America Inc

Fabricant Modèle de produit
HIP2100IBT
Fabricant
Renesas Electronics Corporation
Allelco Modèle de produit
32D-HIP2100IBT
Modèle ECAD
Description des pièces
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Description détaillée
Emballage
8-SOIC (0.154', 3.90mm Width)
Fiche technique
HIP2100IBT.pdf
En stock: 14750

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques HIP2100IBT
Renesas Electronics America Inc - HIP2100IBT Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Renesas Electronics America Inc - HIP2100IBT

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Renesas Electronics Corporation  
Tension - Alimentation 9V ~ 14V  
Package composant fournisseur 8-SOIC  
Séries -  
Rise / Fall Time (Typ) 10ns, 10ns  
Package / Boîte 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width)  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Nombre de conducteurs 2  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Type de montage Surface Mount  
Tension logique - VIL, VIH 4V, 7V  
Type d'entrée Non-Inverting  
Côté haut potentiel - Max (Bootstrap) 114 V  
Type de porte N-Channel MOSFET  
Configuration pilotée Half-Bridge  
Current - Peak Output (Source, Évier) 2A, 2A  
courant de charge Independent  
Numéro de produit de base HIP2100  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Renesas Electronics America Inc HIP2100IBT

Attributs du produit HIP2100IBT HIP2100IRZ HIP2100IBZT HIP2100IRZ
Modèle de produit HIP2100IBT HIP2100IRZ HIP2100IBZT HIP2100IRZ
Fabricant Renesas Electronics America Inc Intersil Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc
Type de porte N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Type d'entrée Non-Inverting Non-Inverting Non-Inverting Non-Inverting
Current - Peak Output (Source, Évier) 2A, 2A 2A, 2A 2A, 2A 2A, 2A
Nombre de conducteurs 2 2 2 2
Rise / Fall Time (Typ) 10ns, 10ns 10ns, 10ns 10ns, 10ns 10ns, 10ns
Package / Boîte 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) 16-VQFN Exposed Pad 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) 16-VQFN Exposed Pad
Package composant fournisseur 8-SOIC 16-QFN (5x5) 8-SOIC 16-QFN (5x5)
Tension logique - VIL, VIH 4V, 7V 4V, 7V 4V, 7V 4V, 7V
Côté haut potentiel - Max (Bootstrap) 114 V 114 V 114 V 114 V
Séries - - - -
Configuration pilotée Half-Bridge Half-Bridge Half-Bridge Half-Bridge
Tension - Alimentation 9V ~ 14V 9V ~ 14V 9V ~ 14V 9V ~ 14V
Numéro de produit de base HIP2100 HIP2100 HIP2100 HIP2100
Emballer Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Tube
courant de charge Independent Independent Independent Independent
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

Fiche technique HIP2100IBT PDF

Téléchargez HIP2100IBT PDF DataSheets et Documentation Renesas Electronics America Inc pour HIP2100IBT - Renesas Electronics America Inc.

Emballage PCN
2.73KHz.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Cylindrical Battery Holders.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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32D-HIP2100IBT

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