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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleRFP15N08L
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

RFP15N08L - Harris Corporation

Fabricant Modèle de produit
RFP15N08L
Fabricant
Harris Corporation
Allelco Modèle de produit
32D-RFP15N08L
Modèle ECAD
Description des pièces
N-CHANNEL POWER MOSFET
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
RFP15N08L.pdf
En stock: 64540

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques RFP15N08L
Harris Corporation - RFP15N08L Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Harris Corporation - RFP15N08L

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Harris Corporation  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA  
Vgs (Max) ±10V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 140mOhm @ 7.5A, 5V  
Dissipation de puissance (max) 72W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Emballer Bulk  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 80 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 5V  
Tension drain-source (Vdss) 80 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 15A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Harris Corporation RFP15N08L

Attributs du produit RFP15N08L RFP22N10 RFP15P05 RFP14N05L
Modèle de produit RFP15N08L RFP22N10 RFP15P05 RFP14N05L
Fabricant Harris Corporation onsemi onsemi onsemi
Séries - - - -
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 2V @ 250µA
type de FET N-Channel N-Channel P-Channel N-Channel
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 5V 10V 10V 5V
Package / Boîte TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 80 nC @ 10 V 150 nC @ 20 V 150 nC @ 20 V 40 nC @ 10 V
Tension drain-source (Vdss) 80 V 100 V 50 V 50 V
Vgs (Max) ±10V ±20V ±20V ±10V
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Fonction FET - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 140mOhm @ 7.5A, 5V 80mOhm @ 22A, 10V 150mOhm @ 15A, 10V 100mOhm @ 14A, 5V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Dissipation de puissance (max) 72W (Tc) 100W (Tc) 80W (Tc) 48W (Tc)
Emballer Bulk Tube Tube Tube
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur TO-220 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 15A (Tc) 22A (Tc) 15A (Tc) 14A (Tc)

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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